編號(hào)：FTJS106963
篇名：MoO2-NC/聚偏氟乙烯復(fù)合材料的制備及其電磁屏蔽性能
作者：徐雪玲 李玲 張哲 張丁勻 章曉娟
關(guān)鍵詞： 一維結(jié)構(gòu) 異質(zhì)納米填料 聚偏氟乙烯 可控制備 無(wú)機(jī)-有機(jī)復(fù)合材料 電磁屏蔽性能
機(jī)構(gòu)： 北京工商大學(xué)輕工科學(xué)與工程學(xué)院
摘要： 現(xiàn)代電子信息技術(shù)的飛速發(fā)展給人類生活帶來(lái)巨大便利的同時(shí)也產(chǎn)生了嚴(yán)重的電磁干擾問(wèn)題,不僅會(huì)影響電子設(shè)備的正常使用,而且還會(huì)危害人類健康。鑒于此,亟需開(kāi)發(fā)高性能電磁屏蔽材料來(lái)解決電磁輻射污染。本文結(jié)合簡(jiǎn)單的水熱法、原位化學(xué)氧化聚合和高溫碳化工藝成功制備出一維異質(zhì)納米填料MoO2-NC,并將其填充于柔性聚偏氟乙烯(PVDF)基體中,通過(guò)簡(jiǎn)單的溶液混合和熱壓技術(shù)制備出一系列MoO2-NC不同質(zhì)量分?jǐn)?shù)下的MoO2-NC/PVDF復(fù)合材料,研究了復(fù)合材料整體的電磁屏蔽性能。結(jié)果表明,經(jīng)高溫處理后,將前驅(qū)體聚吡咯(PPy)熱解為碳材料,同時(shí)通過(guò)碳熱還原法將MoO3還原成MoO2,使得納米填料的電導(dǎo)率獲得大幅提升,MoO2-NC的電導(dǎo)率在20 MPa下最高能達(dá)到133.67 S/cm,比煅燒前的樣品增加了28倍。當(dāng)MoO2-NC的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40%時(shí),復(fù)合材料具有優(yōu)異的電磁屏蔽性能,這一復(fù)合物的總屏蔽效能在X波段范圍內(nèi)最高能達(dá)到32.2 dB,比商用標(biāo)準(zhǔn)(20 dB)高出60%,由此表明MoO2-NC具有作為高效電磁屏蔽功能填料的應(yīng)用潛力。
