編號：NMJS03040
篇名：水熱法制備不同形貌的氧化鋅納米結(jié)構(gòu)
作者：李��； 周明； 沈堅；
關(guān)鍵詞：納米桿； ZnO； ITO； 水熱法；
機(jī)構(gòu)： 江蘇大學(xué)江蘇省光子制造科學(xué)技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；
摘要： 采用水熱法,用甲酰胺水溶液和鋅片建立反應(yīng)體系,在不同種晶層上制備出不同形貌的ZnO納米結(jié)構(gòu),所用基底有Si片、鍍有ZnO薄膜的Si片、鍍有ITO薄膜的Si片、涂有ZnO粉末的Si片等,研究了不同的種晶層對ZnO納米結(jié)構(gòu)的形貌的影響。在不同溫度下,分別在鍍有ZnO薄膜和ITO薄膜的醫(yī)用載玻片襯底上生長ZnO納米結(jié)構(gòu),研究了溫度在水熱法中的作用及種晶層對納米桿長度的影響。實(shí)驗(yàn)中用掃描電子顯微鏡(SEM)和X射線衍射儀(XRD)對納米聚集體進(jìn)行了表征。SEM表征結(jié)果表明不同種晶層上獲得的ZnO納米結(jié)構(gòu)形貌差異很大;反應(yīng)時間、甲酰胺水溶液濃度以及反應(yīng)溫度對ZnO納米陣列形貌都有著一定的影響;在ZnO薄膜上生長的納米桿較在ITO薄膜上生長的納米桿長。SEM圖像同時表明氧化鋅納米桿隨著溫度的增大,納米桿的長度和桿徑增大。X射線衍射峰在34.6℃有很強(qiáng)的(002)纖鋅礦衍射峰,該峰表明襯底上有高度c軸取向的大面積納米桿陣列和較好的結(jié)晶質(zhì)量。
