編號(hào)：CPJS01494
篇名：應(yīng)用于等離子體顯示器的鋁電極及其介質(zhì)層制備研究
作者：劉啟發(fā)； 王艷； 汪紅； 丁桂甫；
關(guān)鍵詞：等離子體顯示器； 尋址電極； 氧化鋁介質(zhì)層； 磁控濺射； 陽(yáng)極氧化
機(jī)構(gòu)： 上海交通大學(xué)微納科學(xué)技術(shù)研究院微米/納米加工技術(shù)國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室薄膜與微細(xì)技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；
摘要： 提出用鋁取代銀作為尋址電極,氧化鋁取代玻璃粉作為其上介質(zhì)層的新型等離子體顯示器(PDP)電極單元,對(duì)單項(xiàng)工藝進(jìn)行了優(yōu)化,并形成了完整可行的整體工藝路線,有望為PDP生產(chǎn)成本的降低提供一條新的技術(shù)途徑。選用非連續(xù)磁控濺射和光刻-刻蝕工藝制備鋁電極,陽(yáng)極氧化工藝制備氧化鋁介質(zhì)層。用掃描電子顯微鏡對(duì)鋁膜、氧化鋁介質(zhì)層及電極單元的整體形貌進(jìn)行了表征;分別對(duì)所制備的鋁電極的導(dǎo)電性能和氧化鋁介質(zhì)層的耐擊穿性能進(jìn)行了測(cè)定,結(jié)果表明在優(yōu)化的實(shí)驗(yàn)條件下鋁電極電阻率可以達(dá)到5.0×10-8Ω·m,氧化鋁耐擊穿強(qiáng)度大于100 V/μm,完全可以滿足實(shí)際應(yīng)用的技術(shù)要求。
