編號(hào)：FTJS03145
篇名：LPCVD制備二氧化硅薄膜工藝研究
作者：王儉峰； 佟麗英； 李亞光； 李秀強(qiáng)；
關(guān)鍵詞：TEOS源； LPCVD； 淀積速率； 均勻性；
機(jī)構(gòu)： 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所；
摘要： 采用TEOS源LPCVD法制備了SiO2薄膜,采用膜厚儀對(duì)薄膜的厚度進(jìn)行測(cè)試。通過(guò)不同條件下SiO2薄膜的厚度變化,討論了TEOS源溫度、反應(yīng)壓力及反應(yīng)溫度等工藝條件對(duì)淀積速率和均勻性的影響。結(jié)果表明,在40℃,50 Pa左右,淀積速率隨TEOS源溫度、反應(yīng)壓力基本呈線性增大.通過(guò)多次試驗(yàn)改進(jìn),提出了SiO2膜淀積的典型工藝條件。
