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        SiO_2-CeO_2復(fù)合氧化物對硅片的拋光性能評價

        編號:FTJS03055

        篇名:SiO_2-CeO_2復(fù)合氧化物對硅片的拋光性能評價

        作者:柴明霞; 周雪珍;

        關(guān)鍵詞:二氧化硅-氧化鈰復(fù)合氧化物; 硅片; 拋光; 稀土;

        機構(gòu): 青海大學(xué)應(yīng)用化學(xué)系; 南昌大學(xué)稀土與微納功能材料研究中心;

        摘要: 用合成的S iO2-CeO2復(fù)合氧化物對單晶硅片進行拋光,測定其拋光速率與制備條件及漿料配制條件之間的關(guān)系。結(jié)果表明:經(jīng)800℃煅燒后制得的硅鈰摩爾比nS iO2∶nCeO2為2∶1的復(fù)合氧化物對硅片具有最大的拋蝕速率。與此同時,選用三乙醇胺和六偏磷酸鈉分別作為漿料的pH調(diào)節(jié)劑和分散劑可以獲得理想的漿料分散性和懸浮穩(wěn)定性。確定了拋光漿料的最佳pH值和固含量分別為11和4%。

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