編號：CPJS01361
篇名：聚乙撐二氧噻吩/二氧化硅復(fù)合材料制備及導電性研究
作者：湯翠紅； 程斌；
關(guān)鍵詞：乙撐二氧噻吩； 二氧化硅； 電導率； 復(fù)合材料；
機構(gòu)： 北京化工大學新型高分子材料的制備與加工北京市重點實驗室；
摘要： 以表面含磺酸基團的改性二氧化硅納米微球為填料,以三氯化鐵(FeCl3)為氧化劑,對甲苯磺酸鈉(TSANa)為摻雜劑,氧化聚合乙撐二氧噻吩(EDOT),制備了具有良好導電性的PEDOT/SiO2復(fù)合材料。并利用X射線光電子能譜(XPS)、掃描電子顯微鏡(SEM)和四探針等手段進行了表征。結(jié)果表明:當FeCl3與EDOT的摩爾比為0.8,TSANa的質(zhì)量分數(shù)為10%,反應(yīng)時間為4 h,得到的復(fù)合材料具有較高的電導率。
