編號(hào)：FTJS02890
篇名：雙層摻混結(jié)構(gòu)CNT薄膜的制備及場(chǎng)發(fā)射性能
作者：商世廣； 趙玲； 高明琪； 劉衛(wèi)華； 趙萍；
關(guān)鍵詞：碳納米管； 絲網(wǎng)印刷； 雙層摻混； 場(chǎng)發(fā)射； 陰極薄膜；
機(jī)構(gòu)： 西安郵電學(xué)院電子工程學(xué)院； 西安交通大學(xué)電子與信息工程學(xué)院；
摘要： 針對(duì)單層摻混結(jié)構(gòu)改善絲網(wǎng)印刷碳納米管(CNT)薄膜場(chǎng)發(fā)射性能的局限性,提出了一種能有效改善CNT薄膜場(chǎng)發(fā)射性能的雙層摻混結(jié)構(gòu)。相比傳統(tǒng)單層摻混結(jié)構(gòu)的CNT陰極薄膜,雙層摻混薄膜中上層TiO2介質(zhì)摻混結(jié)構(gòu)能有效提高CNT的增強(qiáng)因子,下層導(dǎo)電納米鈦粉摻混結(jié)構(gòu)能降低CNT與襯底電極間的接觸電阻、提高CNT導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)的電子傳輸能力。場(chǎng)發(fā)射I-V特性測(cè)試表明,當(dāng)CNT和鈦的摻混質(zhì)量比為1∶1且氮?dú)庵蓄A(yù)燒溫度為450℃時(shí),雙層摻混結(jié)構(gòu)CNT薄膜的開(kāi)啟場(chǎng)強(qiáng)為1.53V/μm,電流密度在場(chǎng)強(qiáng)為2.0V/μm時(shí)達(dá)79.5μA/cm2。該方法為改善絲網(wǎng)印刷CNT薄膜的場(chǎng)發(fā)射性能提供了一種可行方案。
