編號：NMJS01712
篇名：硅納米線陣列光陽極的制備及其光電轉(zhuǎn)換性能研究
作者：呂文輝； 張帥；
關鍵詞：硅納米線陣列光陽極； 光電化學池； 光電轉(zhuǎn)換；
機構： 湛江師范學院物理系； 浙江大學硅材料國家重點實驗室； 湛江師范學院科技處；
摘要： 結合光刻和金屬援助硅化學刻蝕法成功地制備出了用于光伏型光電化學池的圖形化硅納米線陣列光陽極,并表征和研究了其光電轉(zhuǎn)換性能。掃描電子顯微鏡和漫反射光譜測試表明光陽極表面為多孔狀,在300nm-1000nm的光譜范圍之內(nèi)光反射率低于5%。基于該光陽極的光電化學池具有明顯的光響應,光電轉(zhuǎn)換效率為0.33%。通過光電轉(zhuǎn)換過程分析,光生載流子在硅納米線/電解液界面上的復合可能是導致較低光轉(zhuǎn)換效率的主要原因。
