編號：NMJS01656
篇名：沉積溫度對PECVD制備碳納米管形貌的影響
作者：席彩萍； 王六定； 王小冬； 李昭寧；
關(guān)鍵詞：多壁碳納米管； 沉積溫度； PECVD；
機構(gòu)： 西北工業(yè)大學(xué)應(yīng)用物理系； 渭南師范學(xué)院；
摘要： 采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積技術(shù),以C2H2、H2和N2為反應(yīng)氣體,在鍍Ni催化劑的Si基底上成功制備出多壁碳納米管薄膜。采用掃描電鏡研究了沉積溫度對碳管形貌的影響,進(jìn)一步通過擴散機制分析了多種形貌CNTs的生長機制。結(jié)果表明:沉積溫度對催化劑的刻蝕和碳納米管薄膜的形成起著決定作用,獲得定向性良好、分布均勻、密度適中的碳納米管的最佳溫度是700℃。
