編號：NMJS01608
篇名：GaN襯底上納米點陣列的制備及其應(yīng)用研究
作者：王新中； 于廣輝； 李世國；
關(guān)鍵詞：GaN； 陽極Al2O3(AAO)； 納米點陣； 氫化物氣相外延(HVPE)；
機構(gòu)： 深圳信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院； 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所；
摘要： 研究了納米掩膜在材料外延生長及器件制備中的應(yīng)用。通過電化學(xué)腐蝕和電子束蒸發(fā)方法在GaN表面生成Ni和SiO2納米點陣列,經(jīng)過等離子體刻蝕在Ni/GaN模板上形成GaN納米錐形結(jié)構(gòu);利用氫化物氣相外延(HVPE)方法,在SiO2/GaN模板上制備厚膜GaN材料。X射線衍射(XRD)和光致發(fā)光(PL)譜測試表明,SiO2納米點陣能有效阻擋襯底中位錯往上延伸,大大降低外延層中位錯密度,并有利于厚膜GaN中應(yīng)力釋放。
