編號(hào)：CYYJ043558
篇名：基于WS2納米片和聚乙烯咔唑納米復(fù)合材料的憶阻器的阻變行為
作者：鄒鵬飛 曹青 陽(yáng)芳 熊禮苗 袁旭東
關(guān)鍵詞： 憶阻器 WS2納米片 阻變行為 聚乙烯咔唑(PVK) 聚合物納米復(fù)合材料
機(jī)構(gòu)： 合肥工業(yè)大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院 合肥通用機(jī)械研究院壓縮機(jī)技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
摘要： 文章介紹基于單層WS2納米片和聚乙烯咔唑(PVK)納米材料的Ag/WS2-PVK/Cu憶阻器,并研究PVK質(zhì)量分?jǐn)?shù)對(duì)憶阻器I-V特性的影響。Ag/WS2-PVK/Cu憶阻器表現(xiàn)為一次寫(xiě)入多次讀取(write-once read-many-times, WORM)的阻變行為,隨著PVK質(zhì)量分?jǐn)?shù)的增加,VSET逐漸增加,開(kāi)關(guān)比略有增加然后減小。I-V雙對(duì)數(shù)曲線證實(shí)了器件的開(kāi)關(guān)機(jī)制是陷阱控制的空間電荷限制電流機(jī)制,并用能帶圖進(jìn)行了解釋,研究結(jié)果為過(guò)渡金屬硫化物憶阻器開(kāi)關(guān)性能的設(shè)計(jì)和優(yōu)化提供了理論依據(jù)。
