編號(hào)：CYYJ03884
篇名：金屬氧化物半導(dǎo)體一維材料H2S傳感器研究進(jìn)展
作者：李茹茹 王凱怡 密士安 劉雅萍 陳澤 殷錫濤 馬曉光
關(guān)鍵詞： H2S氣體 一維結(jié)構(gòu)納米材料 金屬氧化物半導(dǎo)體 氣體傳感機(jī)制 傳感性能
機(jī)構(gòu)： 魯東大學(xué)物理與光電工程學(xué)院
摘要： 金屬氧化物半導(dǎo)體具有較好的氣敏性,基于金屬氧化物半導(dǎo)體H2S氣體傳感特性得到了廣泛研究.然而,隨著氣體檢測(cè)精細(xì)程度的增加,需要設(shè)計(jì)具有更優(yōu)性能的納米材料,來(lái)實(shí)現(xiàn)氣體傳感器檢測(cè)下限和靈敏度的提高.同其他維度納米材料相比,一維結(jié)構(gòu)納米材料由于具有良好的結(jié)晶度、較大的比表面積和獨(dú)特的電子輸運(yùn)特性,在H2S氣敏性能提升上有明顯優(yōu)勢(shì).因此,本文主要以H2S氣體為主體,綜述了基于金屬氧化物半導(dǎo)體不同一維結(jié)構(gòu)納米材料的特點(diǎn)和一維結(jié)構(gòu)納米材料H2S氣體傳感器的研究進(jìn)展.討論了金屬氧化物半導(dǎo)體基一維結(jié)構(gòu)納米材料對(duì)H2S氣體傳感的影響和氣敏機(jī)理.最后,對(duì)金屬氧化物半導(dǎo)體基一維結(jié)構(gòu)納米材料H2S氣體傳感器的性能改進(jìn)和未來(lái)應(yīng)用前景進(jìn)行了展望。
