1. <center id="ihmue"></center>
        <mark id="ihmue"></mark>

        <samp id="ihmue"></samp>

        精品国产午夜理论片不卡_99这里只有精品_黑人大战亚洲人精品一区_精品国产免费一区二区三区香蕉_99久久精品美女高潮喷水

        資料中心

        快速、無損的大面積石墨烯晶圓轉(zhuǎn)移方法

        編號:NMJS08943

        篇名:快速、無損的大面積石墨烯晶圓轉(zhuǎn)移方法

        作者:胡兆寧 林立 劉忠范

        關(guān)鍵詞: 石墨烯薄膜 商業(yè)化應(yīng)用 粉體材料 化學(xué)氣相沉積法 金屬襯底 超平整 CU(111) 物理化學(xué)性質(zhì)

        機構(gòu): 北京大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院 北京石墨烯研究院 北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院

        摘要: 盡管石墨烯薄膜材料表現(xiàn)出優(yōu)異的電學(xué)、光學(xué)等物理化學(xué)性質(zhì),但相較于石墨烯粉體材料,其商業(yè)化應(yīng)用還遠未成熟.基于化學(xué)氣相沉積法,在金屬襯底上生長石墨烯薄膜被認為是批量化制備大尺寸石墨烯薄膜的主流路線.其中,在平整的Cu(111)晶圓襯底上外延生長超平整石墨烯單晶晶圓薄膜,是面向電子器件應(yīng)用領(lǐng)域高品質(zhì)石墨烯薄膜的制備方法[1,2].但是,石墨烯晶圓在具體應(yīng)用場景中往往不在其金屬生長襯底上進行應(yīng)用,需要將石墨烯單晶晶圓從金屬襯底上轉(zhuǎn)移至硅襯底等襯底,進而實現(xiàn)其應(yīng)用價值。

        最新資料
        下載排行

        關(guān)于我們 - 服務(wù)項目 - 版權(quán)聲明 - 友情鏈接 - 會員體系 - 廣告服務(wù) - 聯(lián)系我們 - 加入我們 - 用戶反饋
        色欲人妻综合网_99这里只有精品_黑人大战亚洲人精品一区_精品国产免费一区二区三区香蕉
          1. <center id="ihmue"></center>
            <mark id="ihmue"></mark>

            <samp id="ihmue"></samp>