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        基于高性能二維二硒化鎢的光電探測(cè)器

        編號(hào):CYYJ03805

        篇名:基于高性能二維二硒化鎢的光電探測(cè)器

        作者:劉翔宇 唐嘉琦 譚志富 潘曹峰

        關(guān)鍵詞: 二維二硒化鎢 物理氣相沉積 PN結(jié) 光電探測(cè)器

        機(jī)構(gòu): 中國(guó)科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所 中國(guó)科學(xué)院大學(xué)納米科學(xué)與工程學(xué)院

        摘要: 通過(guò)物理氣相沉積(PVD)方法制備了二維二硒化鎢(WSe_2)材料,并與利用化學(xué)氣相沉積(CVD)方法制備的材料進(jìn)行對(duì)比,證明了其具有不同的導(dǎo)電類(lèi)型和更好的電學(xué)性質(zhì).利用兩種不同工藝所得材料分別為p型和n型導(dǎo)電的性質(zhì),制備了由同種WSe_2材料組成的pn結(jié)器件.測(cè)試結(jié)果表明,該器件在黑暗條件下具有單向整流性和對(duì)光照極靈敏的響應(yīng)度,證明了其在光電器件應(yīng)用領(lǐng)域具有廣泛的發(fā)展前景。

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