編號(hào)：FTJS10197
篇名：MPCVD制備金剛石的研究
作者：王光祖 王福山
關(guān)鍵詞： 化學(xué)氣相沉積 微波等離子體 金剛石 多晶薄膜 大尺寸單晶 質(zhì)量 基體溫度 襯底材料
機(jī)構(gòu)： 鄭州磨料磨具磨削研究所 鄭州中南杰特超硬材料有限公司
摘要： 金剛石在材料家族中是集力、光、電、聲、熱、磁于一身的最優(yōu)秀的材料。它不僅在工程領(lǐng)域中得到了廣泛應(yīng)用,而且在功能應(yīng)用中也是大有作為的材料。因此,吸引著國(guó)內(nèi)外廣大科技工作者對(duì)其進(jìn)行研發(fā)的極大欲望。文章簡(jiǎn)要地介紹了多晶金剛石薄膜、大尺寸單晶金剛石(Single Crystal Diamond—SCD)合成過(guò)程中的腔體壓強(qiáng)大小、基體溫度的高低、襯底材質(zhì)與表面粗糙度等工藝參數(shù)以及飾鉆培育的形核、生長(zhǎng)質(zhì)量等技術(shù)問(wèn)題的研究結(jié)果。通過(guò)實(shí)踐分析得到了高溫形核-低溫生長(zhǎng)的梯度規(guī)律和腔體內(nèi)壓強(qiáng)和基體溫度低或過(guò)高都不利于生長(zhǎng)出高質(zhì)量金剛石薄膜的規(guī)律。
