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        高遷移率二維半導(dǎo)體Bi2O2Se的化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng):可控生長(zhǎng)及材料質(zhì)量

        編號(hào):CYYJ03798

        篇名:高遷移率二維半導(dǎo)體Bi2O2Se的化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng):可控生長(zhǎng)及材料質(zhì)量

        作者:于夢(mèng)詩(shī) 譚聰偉 高嘯寅 唐浚川 彭海琳

        關(guān)鍵詞: Bi2O2Se 化學(xué)氣相沉積 成核模式 維度 陣列 電學(xué)質(zhì)量

        機(jī)構(gòu): 北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院

        摘要: 二維(2D)半導(dǎo)體提供的原子厚度有利于優(yōu)異的柵極場(chǎng)穿透,并使晶體管能夠在抑制短溝道效應(yīng)的情況下保持縮小,從而被認(rèn)為是后摩爾時(shí)代未來(lái)晶體管的溝道材料。在高遷移率二維半導(dǎo)體中,具有適中帶隙的空氣穩(wěn)定Bi2O2Se引起了人們的廣泛關(guān)注。與其他二維材料不同,Bi2O2Se可以逐層氧化形成高k本征氧化物電介質(zhì)Bi2SeO5,具有原子級(jí)尖銳的界面,類似于半導(dǎo)體工業(yè)中的Si/SiO2。這些特性使Bi2O2Se成為制造各種性能優(yōu)異的器件的理想材料平臺(tái),如晶體管、熱電器件、光電器件、傳感器、柔性器件和存儲(chǔ)器件,以實(shí)現(xiàn)先進(jìn)的應(yīng)用二維 Bi2O2Se 的制備,有必要開(kāi)發(fā)可規(guī);、高質(zhì)量且成本相對(duì)較低的制備方法。

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