編號：CPJS01679
篇名：白光LED用Ca0.955Al2Si2-xTixO8:Eu2+熒光粉的晶體結(jié)構(gòu)和光譜特性研究
作者：王飛； 田一光； 張喬
關(guān)鍵詞：硅酸鹽； 鈣長石； 鈦置換； Eu2+
機(jī)構(gòu)： 安徽三聯(lián)學(xué)院實(shí)驗(yàn)中心； 溫州大學(xué)化學(xué)與材料工程學(xué)院
摘要： 通過高溫固相法在弱還原氣氛下合成Ca0.955Al2Si2-xTixO8∶Eu2+(x=0～1.0)系列試樣熒光粉,系統(tǒng)研究了Ti4+置換Si4+對其晶體結(jié)構(gòu)和光譜特性的影響。Ti4+以類質(zhì)同相替代CaAl2Si2O8晶格中的Si4+形成連續(xù)固溶體,隨著Ti4+置換量的增加,晶胞參數(shù)a,b,c,γ和晶胞體積V都呈線性遞增,晶面夾角α和β均呈線性遞減。Ti4+置換Si4+對晶胞參數(shù)c的影響最顯著,b其次,a最小。熒光激發(fā)譜為寬帶,位于225～400 nm,可由280,322,353和382 nm 4個(gè)峰擬合而成,表觀峰值位于351 nm;隨著Ti4+置換量的增加,半高寬從115 nm減小到91 nm。發(fā)射光譜位于375～600 nm,表觀峰值位于426 nm,可由428和458 nm兩峰擬合而成并且隨Ti4+置換量增加線性紅移,Ti4+進(jìn)入晶格對較長波長發(fā)射中心影響較大;Ti4+置換量為1.0 mol時(shí),表觀發(fā)射峰位從426 nm線性紅移至430 nm,半高寬由66 nm增加至80 nm。隨著Ti4+置換量Si4+進(jìn)入基質(zhì)晶格,造成Eu-O距離變小,使得Eu2+所處的晶體場強(qiáng)度增強(qiáng),發(fā)光中心Eu2+的5d能級分裂增大,造成Eu2+最低發(fā)射能級重心下移,兩擬合譜峰峰位均呈線性紅移。
