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        SnO_2修飾石墨氈電極的制備及其性能表征

        編號:CPJS01652

        篇名:SnO_2修飾石墨氈電極的制備及其性能表征

        作者:喬永蓮; 劉會軍; 許茜; 孫福權;

        關鍵詞:石墨氈; 電沉積; SnO2; 催化; 電極過程;

        機構: 沈陽飛機工業(yè)(集團)有限公司,工藝研究所; 材料與冶金學院,東北大學;

        摘要: 采用H2O2對石墨氈進行預處理,然后在其表面電沉積Sn,最后在120℃烘箱氧化24h制備出SnO2修飾的石墨氈電極。通過SEM對SnO2修飾前后的石墨氈表面形貌進行表征,采用循環(huán)伏安法研究了SnO2修飾后石墨氈電極的電化學性能。結果表明:SnO2能夠均勻地包覆在石墨氈表面;SnO2修飾石墨氈后V4+/V5+電對的氧化峰的峰電流由0.0538A增加到0.0708A,與未處理石墨氈相比增加了31.5%,反應峰出峰持續(xù)時間提高,說明SnO2對V4+/V5+電對電極過程具有一定的催化作用。析氧電位由1.382V增加到了1.517V,使電極在VOSO4溶液中的電化學窗口變寬。

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