編號：NMJS03426
篇名：陣列碳納米管薄膜厚度調(diào)控研究
作者：馬康夫1； 2； 付志兵2； 楊 曦2； 王朝陽2； 唐永建2；
關(guān)鍵詞：陣列碳納米管； 厚度； 生長速度；
機構(gòu)： (1.西南科技大學 材料科學與工程學院,四川 綿陽621010； 2.中國工程物理研究院激光聚變研究中心,四川 綿陽621900)；
摘要： 采用化學氣相沉積法制備了陣列碳納米管薄膜,對薄膜生長厚度進行了系統(tǒng)研究。利用掃描電子顯微鏡(SEM)、拉曼光譜(Raman)對樣品形貌以及結(jié)構(gòu)進行了表征。結(jié)果發(fā)現(xiàn),在相同的生長時間和一定的催化劑濃度范圍內(nèi),陣列碳納米管的薄膜厚度隨催化劑濃度提高而增加;在生長時間相同時,陣列碳納米管薄膜厚度隨載氣流速的增加而降低,且下降趨勢近似為線性;隨著生長時間的增長,陣列碳納米管薄膜的厚度也隨之增加,且在前60min生長速度最快達到24μm/min,60min之后生長速度減緩。
