編號：NMJS03369
篇名：銅納米線陣列顯微結(jié)構(gòu)的表征和控制
作者：牛高； 譚秀蘭； 韓尚君； 羅江山；
關(guān)鍵詞：顯微結(jié)構(gòu)； 銅納米線陣列； 電沉積； 陽極氧化鋁；
機構(gòu)： 中國工程物理研究院激光聚變研究中心；
摘要： 采用多孔氧化鋁(AAO)模板脈沖電沉積法制備了強輻射源用銅納米線陣列材料,并用掃描電子顯微鏡(SEM)、能譜(EDS)和X射線衍射(XRD)對其進行了結(jié)構(gòu)表征。結(jié)果表明電沉積的峰值電流強度和輔助陰極可以影響銅納米線的表面質(zhì)量、長度分布均勻性和微區(qū)長度起伏。減小峰值電流強度,可以明顯改善單根銅納米線的表面質(zhì)量,但是對銅納米線陣列長度分布均勻性和微區(qū)長度起伏影響程度有限。添加輔助陰極,不僅可以改善單根銅納米線的表面質(zhì)量,還可以顯著提高銅納米線陣列長度分布均勻性,并改善其微區(qū)長度起伏情況。
