編號：FTJS03533
篇名：Mg-Al水滑石“記憶效應(yīng)”及其對Cr(Ⅵ)陰離子吸附性能研究
作者：趙策； 曾虹燕； 王亞舉； 劉平樂； 李玉芹； 楊永杰；
關(guān)鍵詞：Mg-Al水滑石； 記憶效應(yīng)； 鉻(Ⅵ)； 吸附； 衰減；
機(jī)構(gòu)： 湘潭大學(xué)化工學(xué)院；
摘要： 采用尿素法制備高結(jié)晶度Mg-Al水滑石(MAH),系統(tǒng)研究了Mg-Al水滑石"記憶效應(yīng)"及其對Cr(Ⅵ)陰離子吸附性能的影響.通過XRD、FT-IR、SEM、DSC以及去卷積分析對MAH、重構(gòu)"記憶"MAH(RMAH)以及MAH的金屬氧化物(MAO)、RMAH的金屬氧化物(RMAO)進(jìn)行表征分析.結(jié)果表明,重構(gòu)的"記憶"RMAH和前體MAH均具高結(jié)晶度水滑石層狀晶體結(jié)構(gòu)特征,兩者晶體結(jié)構(gòu)和層板電荷密度幾乎無差異.MAO仍保留層狀結(jié)構(gòu),而再次重構(gòu)的RMAO中MgAl2O4尖晶石晶相增多,仍有層狀結(jié)構(gòu)殘留.由于水滑石強(qiáng)結(jié)構(gòu)"記憶效應(yīng)",使Mg-A1 LDOs(MAO和RMAO)對Cr(Ⅵ)陰離子吸附能力大大強(qiáng)于Mg-A1 LDHs(MAH和RMAH).MAO對Cr(Ⅵ)陰離子吸附能力高于RMAO,可能由于RMAH焙燒形成的RMAO中MgAl2O4尖晶石含量增多及層狀結(jié)構(gòu)消減,導(dǎo)致其"記憶效應(yīng)"重構(gòu)能力衰減,從而使RMAO對Cr(Ⅵ)陰離子吸附能力下降.
