編號：FTJS03524
篇名：磁控濺射沉積非晶碳膜微結(jié)構(gòu)及電學性能
作者：尚魁平； 冶艷； 葛培林； 江利； 鮑明東；
關(guān)鍵詞：非晶碳膜； 磁控濺射； 微觀結(jié)構(gòu)； 電阻率；
機構(gòu)： 中國礦業(yè)大學材料科學與工程學院； 寧波工程學院材料工程研究所；
摘要： 在單晶Si(100)基體上,采用閉合場非平衡磁控濺射方法沉積制備了導電非晶碳膜。X射線衍射(XRD)分析表明薄膜呈明顯的非晶結(jié)構(gòu);用XPS分析了薄膜中的碳鍵結(jié)構(gòu),碳膜的C1s峰位于284~285 eV之間,C1s峰分峰擬合得出sp2C的原子數(shù)分數(shù)為59%左右,碳鍵以sp2結(jié)構(gòu)為主;四探針法測得薄膜的電阻率為1.32×10-6Ω.m�？梢哉J為:制備的碳膜是以sp2結(jié)構(gòu)為主的類石墨非晶態(tài)薄膜。
