編號：SBJS00334
篇名：摻硅類金剛石薄膜的制備及其微觀機(jī)械性能研究
作者：王智；
關(guān)鍵詞：Si-DLC薄膜； 射頻感應(yīng)耦合； 離子束濺射； 微觀機(jī)械性能；
機(jī)構(gòu)： 河南化工技師學(xué)院；
摘要： 采用射頻感應(yīng)耦合離子源(ICP)在硅基底上沉積了DLC薄膜,并利用離子束濺射固體單晶石墨的方法摻入Si元素。通過原子力顯微鏡(AFM)和拉曼光譜對DLC薄膜的表面形貌及結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析表征。并用UTM-2摩擦磨損試驗儀對薄膜進(jìn)行了刻劃測試,通過臨界載荷的對比,分析了摻硅和純DLC薄膜與基底的結(jié)合能力。結(jié)果表明,摻硅DLC薄膜具有良好的膜-基結(jié)合能力。
