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        導(dǎo)電硅藻土粉體制備及性能研究

        編號(hào):CPJS01591

        篇名:導(dǎo)電硅藻土粉體制備及性能研究

        作者:杜玉成; 顏晶; 孟琪; 李揚(yáng);

        關(guān)鍵詞:硅藻土; 化學(xué)共沉淀; 導(dǎo)電性能;

        機(jī)構(gòu): 北京工業(yè)大學(xué)新型功能材料教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;

        摘要: 采用化學(xué)共沉淀法制備硅藻土表面包覆銻摻雜二氧化錫導(dǎo)電粉體,并對(duì)制備工藝條件進(jìn)行詳細(xì)研究;采用X射線衍射、掃描電鏡、透射電鏡對(duì)樣品進(jìn)行表征,采用四探針儀測(cè)試樣品導(dǎo)電性能。結(jié)果表明:最佳的制備工藝條件為:溶液溫度40℃、反應(yīng)時(shí)間1 h、pH為1、Sn4+與Sb3+的物質(zhì)的量比為8∶1、包覆率為38%、700℃下煅燒1 h。硅藻土表面形成厚度為30 nm左右的金紅石結(jié)構(gòu)的均勻包覆層,樣品體積電阻率最低可達(dá)18Ω.cm。

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