編號(hào)：CPJS01537
篇名：直流反應(yīng)磁控濺射制備氧化鋁薄膜
作者：唐秀鳳； 羅發(fā)； 周萬城； 朱冬梅；
關(guān)鍵詞：直流反應(yīng)磁控濺射； 氧化鋁薄膜； 沉積速率； 退火； 表面形貌；
機(jī)構(gòu)： 西北工業(yè)大學(xué)凝固技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；
摘要： 采用直流反應(yīng)磁控濺射,以高純Al為靶材,高純O2為反應(yīng)氣體,在鎳基合金和單晶硅基片上制備了氧化鋁薄膜,并對(duì)氧化鋁薄膜的沉積速率和表面形貌進(jìn)行了研究。結(jié)果表明,氧化鋁薄膜的沉積速率隨濺射功率的增大先幾乎呈線性增大而后增速趨緩;隨濺射氣壓的增加,沉積速率先增大,在1.0Pa時(shí)達(dá)到峰值,而后隨氣壓繼續(xù)增大而減小;隨Ar/O2流量比的不斷增加,沉積速率也隨之不斷增大,但是隨著負(fù)偏壓的增大,沉積速率先急劇減小而后趨于平緩。用掃描電子顯微鏡對(duì)退火處理前后的氧化鋁薄膜表面形貌進(jìn)行觀察,發(fā)現(xiàn)在500℃退火1h能夠使氧化鋁薄膜致密化和平整化。
