編號：NMJS03237
篇名：原位制備分級多孔納米結(jié)構(gòu)氧化鋁/金薄膜電極
作者：唐敏； 陳麗娟； 李加偉； 張?zhí)m月； 林新華；
關(guān)鍵詞：分級多孔納米結(jié)構(gòu)； 微機電系統(tǒng)(MEMS)； 氧化鋁； 金； 薄膜電極； 電化學(xué)性能；
機構(gòu)： 中國科學(xué)院合肥智能機械研究所傳感技術(shù)國家重點實驗室； 安徽師范大學(xué)化學(xué)與材料科學(xué)學(xué)院安徽省化學(xué)與生物傳感重點實驗室； 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)化學(xué)系；
摘要： 采用與MEMS兼容的工藝,自上而下制作了分級多孔納米結(jié)構(gòu)的氧化鋁/金多層薄膜(HNAGF)電極。利用掃描電子顯微鏡(SEM)、能量散射譜(EDS)對上述多層薄膜電極結(jié)構(gòu)進行了表征。SEM圖像顯示底層金層為多孔結(jié)構(gòu),上層陽極氧化鋁層具有有序的多孔的結(jié)構(gòu)特性。以H2O2為探針,通過循環(huán)伏安法分別評價了HNAGF電極和傳統(tǒng)的裸金薄膜電極的電化學(xué)性能。結(jié)果表明HNAGF電極不僅對電子傳遞沒有明顯障礙,而且對H2O2表現(xiàn)出更好的催化活性和更高的靈敏性。這種新穎的分級多孔納米薄膜電極將在電流型電化學(xué)傳感器領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。
