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        進(jìn)口硫化鍺納米片分散液GeS

        進(jìn)口硫化鍺納米片分散液GeS
        • 品牌:上海研倍
        • 產(chǎn)地:上海
        • 關(guān)注度:439
        • 型號:進(jìn)口硫化鍺納米片分散液GeS
        • 報(bào)價(jià):面議
        • 信息完整度:
        核心參數(shù)
        • 品級:工業(yè)級
        • 外觀:液體
        產(chǎn)品介紹

        產(chǎn)品說明書

        本品以異丙醇為溶劑,含有Ges單層和多層厚片。合成了純度為99.9995%的Ges晶體,并將其分散到異丙醇(純度為99.9999%的電子級化學(xué)品)中。由于起始材料(合成Ges晶體)是高度結(jié)晶的,超聲波處理以分層Ges層的產(chǎn)率很高。鍺硒晶體單層和多層懸浮于異丙醇溶液中。Ge se納米材料的結(jié)晶性已通過電子能譜(EDAX)得到證實(shí)。拉曼光譜(半高寬<5cm-')和掃描電子顯微鏡(SEM)測量。 沉積在不同基底上的Ges薄片的橫向尺寸從~10nm~10um,厚度從1L到10s層。

        解決方案類型:默認(rèn)情況下,2DsemiconductorsUSA將提供Ges懸浮異丙醇片,因?yàn)槠浞稚⑿院?、穩(wěn)定性和高性能。然而,如果您的研究需要其他溶劑,請聯(lián)系我們以了解更多詳情并安排產(chǎn)品交付。

        溶液濃度:為了降低運(yùn)輸成本,簡化海關(guān)協(xié)議/邊境檢查流程,我們運(yùn)輸過飽和的2D溶液(根據(jù)2D層的類型,約為~80-120 mg/L)。然而,可以通過簡單且經(jīng)濟(jì)高效的自旋鑄造工藝稀釋過飽和溶液,以產(chǎn)生250-500mL 的溶液,在所需的襯底上沉積2D層。

        產(chǎn)品技術(shù)參數(shù):

         

         產(chǎn)品名稱 進(jìn)口硫化鍺納米片分散液GeS
         貨號 RDB-FSY-013
         應(yīng)用 電化學(xué)能儲,電化學(xué)催化,器件,生物學(xué)研究等應(yīng)用
         晶體結(jié)構(gòu) 六邊形
         合成方法 超聲波剝離合成Ges晶體液相選擇:如果需要,可提供電化學(xué)剝離GeS溶液。
         材料性 各向異性半導(dǎo)體
         溶質(zhì)特征

         在異丙醇中過飽和(~250mg/L)的Ges單層溶液。

         瓶測量2mL,稀釋至常規(guī)濃度(約25mg/L)的約20mL

        • 產(chǎn)品規(guī)格:

        • C0.25mg/ml濃度 2ml IPA

          C0.25mg/ml濃度20ml IPA

        產(chǎn)品技術(shù)參數(shù):

         

         產(chǎn)品名稱 進(jìn)口硫化鍺納米片分散液GeS
         貨號 RDB-FSY-013
         應(yīng)用 電化學(xué)能儲,電化學(xué)催化,器件,生物學(xué)研究等應(yīng)用
         晶體結(jié)構(gòu) 六邊形
         合成方法 超聲波剝離合成Ges晶體液相選擇:如果需要,可提供電化學(xué)剝離GeS溶液。
         材料性 各向異性半導(dǎo)體
         溶質(zhì)特征

         在異丙醇中過飽和(~250mg/L)的Ges單層溶液。

         瓶測量2mL,稀釋至常規(guī)濃度(約25mg/L)的約20mL

        進(jìn)口硫化鍺納米片分散液GeS照片:

         

         

        XRD:                                                                     SEM:

         

         

         

         

         

         

         

         

         

                            

        Raman:                                                                從GeS晶體收集的光致發(fā)光數(shù)據(jù):                            

         

         

         

         

         

         

         

         

         

         


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        工商信息

        企業(yè)名稱

        上海研倍新材料科技有限公司

        企業(yè)類型

        有限責(zé)任公司(自然人獨(dú)資)

        信用代碼

        91310000MACUKKAG41

        法人代表

        韓利敏

        注冊地址

        中國(上海)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)宏祥北路83弄1-42號20幢118室

        成立日期

        2023-08-18

        注冊資本

        1000萬元人民幣

        有效期限

        2023-08-18 至 2053-08-17

        經(jīng)營范圍

        一般項(xiàng)目:新材料技術(shù)研發(fā);新材料技術(shù)推廣服務(wù);技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣;金屬制品研發(fā);軟件開發(fā);信息系統(tǒng)集成服務(wù);自然科學(xué)研究和試驗(yàn)發(fā)展;貨物進(jìn)出口;技術(shù)進(jìn)出口;進(jìn)出口代理;國內(nèi)貨物運(yùn)輸代理;機(jī)械設(shè)備銷售;金屬制品銷售;化工產(chǎn)品銷售(不含許可類化工產(chǎn)品);金屬材料銷售;新型金屬功能材料銷售;有色金屬合金銷售;高性能有色金屬及合金材料銷售;實(shí)驗(yàn)分析儀器銷售;3D打印基礎(chǔ)材料銷售;計(jì)算機(jī)軟硬件及輔助設(shè)備批發(fā)。(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外,憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動)
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