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目前化學機械拋光(CMP)是世界上公認的可以實現(xiàn)集成電路制造中全局平坦化的技術，其精度可以達到納米級別。但是想要得到如此高精度的表面質(zhì)量，除了工藝和設備參數(shù)的設定外，拋光液也是關鍵因素之一。

CMP拋光液一般由去離子水、磨料以及 pH 調(diào)節(jié)劑、氧化劑、分散劑和表面活性劑等化學助劑等組成，拋光液中磨料的作用是在晶圓和拋光墊的界面之間進行機械研磨，以確保CMP過程中的高材料去除率。

拋光液的拋光性能，受其分散性和懸浮穩(wěn)定性的影響，隨著拋光液放置時間的延長以及拋光過程中化學組分的變化，拋光液中的軟磨料或硬磨料都易發(fā)生凝膠現(xiàn)象，這會導致拋光過程中在晶圓表面留下劃痕，從而影響最終的拋光效果。

因此，如何制備具有良好分散穩(wěn)定性的拋光液是目前亟待解決的問題。

高壓均質(zhì)技術制備高分散性拋光液

高壓均質(zhì)機通過高壓下的強烈剪切和撞擊作用，能夠?qū)㈩w粒分散到納米級別，并保持其穩(wěn)定的懸浮狀態(tài)，從而改善拋光液的性能。

依托二十余年的技術積累，ATS的高壓均質(zhì)機在設備性能和技術水平上均處于國內(nèi)領先地位。設備通過高壓、高剪切力的作用，使CMP拋光液中的固體顆粒得以細化并均勻分散于液體中。同時，ATS還不斷引入新材料、新工藝，提升設備的耐磨性、耐腐蝕性和穩(wěn)定性，確保長期穩(wěn)定運行。

• 金屬雜質(zhì)可控，無污染風險

• 耐腐蝕配件，提高使用年限

• 有效分散團聚粒子，粒徑分布更窄

• 設備規(guī)格齊全，支持規(guī)?；a(chǎn)

• 對比微射流均質(zhì)機，容腔不易堵塞，性價比更高

案例分享

1.氧化鈰拋光液

2.二氧化硅拋光液

3.氧化鋁拋光液

通過上述結(jié)果，可以看出使用ATS高壓均質(zhì)機不僅可以提高CMP拋光漿料的性能和質(zhì)量，還降低了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率，對于CMP工藝的優(yōu)化和提升具有重要意義。而且不難看出高壓均質(zhì)機不僅在CMP拋光漿料中有顯著優(yōu)勢，還可以應用于其他納米材料的分散和均質(zhì)過程，具有廣泛的應用前景和市場潛力。