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      ChemiMaster 8320(CM8320)系列儀器基于動(dòng)態(tài)技術(shù)可進(jìn)行TPD(程序升溫脫附)、TPR（程序升溫還原），TPO（程序升溫氧化）、脈沖化學(xué)吸附測(cè)金屬分散度、蒸汽吸附、BET單點(diǎn)比表面積的物理吸附分析、多組分競(jìng)爭(zhēng)性吸附，用于測(cè)定催化劑材料的酸堿量、酸堿強(qiáng)度、貴金屬分散度、氧化還原性能、多組分競(jìng)爭(zhēng)性吸附等重要指標(biāo)。
全自動(dòng)雙站化學(xué)吸附儀CM8320 

全自動(dòng)雙站化學(xué)吸附儀CM8320配置
分析站數(shù)量：2個(gè)，獨(dú)立運(yùn)行
TCD數(shù)量：    2個(gè)
質(zhì)量流量控制器數(shù)量：4個(gè)
尾部質(zhì)量流量計(jì)數(shù)量：1個(gè)
電動(dòng)六通閥數(shù)量：2個(gè)
電動(dòng)四通閥數(shù)量：4個(gè)
技術(shù)優(yōu)勢(shì)
分析站：  雙站設(shè)計(jì)，獨(dú)立運(yùn)行
管路結(jié)構(gòu)：并聯(lián)，2個(gè)并聯(lián)結(jié)構(gòu)
保溫設(shè)計(jì)：  整體管路控溫保溫
防腐蝕功能：整體管路防腐蝕設(shè)計(jì)
風(fēng)冷系統(tǒng)：2個(gè)強(qiáng)制風(fēng)冷系統(tǒng)
冷阱數(shù)量：2個(gè)
進(jìn)氣端口：8路，儀器可自由切換
蒸汽發(fā)生器：連續(xù)和脈沖兩個(gè)模式
技術(shù)參數(shù)
●加熱爐工作溫度**1200℃可選低溫裝置
●加熱爐采用“床溫”和“爐溫”雙點(diǎn)測(cè)控
●樣品溫度通過獨(dú)立的溫度傳感測(cè)量與控制
●檢測(cè)器類型為萊鎢合金熱導(dǎo)檢測(cè)器TCD 
●儀器內(nèi)部整體保溫，**可達(dá)300℃
● 氣體流速范圍 5～100 SCCM
● 軟件程序升溫實(shí)時(shí)顯示，閥門狀態(tài)顯示
●質(zhì)譜取氣端口在樣品管出氣口，避免氣流干擾
● 儀器具有系統(tǒng)危險(xiǎn)狀態(tài)報(bào)警功能
● 可選配蒸汽發(fā)生器，整體管路保溫
● LOOP環(huán)可以定制選配3種體積以上
● 管路1/8 英寸SS 316不銹鋼管 
● 儀器內(nèi)部管線和控制閥門均可保溫
儀器尺寸

全自動(dòng)化學(xué)吸附儀CM8320剖式圖

選型指南

通過TPD或脈沖滴定等過程，可以測(cè)試樣品對(duì)于特定氣體吸附量。但在實(shí)際應(yīng)用中，樣品所接觸到的氣氛通常更為復(fù)雜，不同氣體同時(shí)與樣品接觸時(shí)，吸附能力并非簡(jiǎn)單的加和關(guān)系，而有可能表現(xiàn)出不同組分的競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系（X組分的存在有可能抑制樣品對(duì)于Y組分的吸附）或協(xié)調(diào)關(guān)系（X組分的存在有可能促進(jìn)樣品對(duì)于Y組分的吸附）。因此對(duì)于實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景，有必要針對(duì)更為復(fù)雜的氣體配比條件，測(cè)試樣品對(duì)于多組分氣體的實(shí)際吸附能力。
 TPD程序升溫脫附
樣品的表面活性位（例如酸中心）吸附探針分子（例如NH3）后，在載氣吹掃下進(jìn)行程序升溫，記錄樣品溫度與載氣濃度的變化，即為TPD測(cè)試譜圖。譜圖中探針分子的脫附峰的溫度對(duì)應(yīng)活性中心的強(qiáng)度，譜圖中探針分子的脫附峰的面積對(duì)應(yīng)活性中心的數(shù)量。
TPR/TPO程序升溫還原/程序升溫氧化
TPR用于表征金屬催化劑的還原性。用一定比例的H2/Ar混合氣體作為載氣流過樣品床層并按照一定速率程序升溫。記錄樣品溫度與載氣濃度的變化，即為TPR測(cè)試譜圖。譜圖中還原峰的溫度對(duì)應(yīng)金屬中心的還原性能，譜圖中還原峰的面積對(duì)應(yīng)金屬中心還原過程的耗氫量。
TPO與TPR類似，用氧化性氣體代替還原性氣體，用于測(cè)試金屬中心的氧化性能。
脈沖滴定
以脈沖方式向樣品表面定量注入特定的氣體，記錄載氣濃度的變化，未被吸附的氣體將流過樣品床層并被檢測(cè)器記錄。記錄載氣濃度的變化得到脈沖滴定譜圖，其中記錄到的峰對(duì)應(yīng)于未被吸附的氣體的量，脈沖的次數(shù)對(duì)應(yīng)于總脈沖量，兩者差減就是樣品的吸附量。脈沖滴定用于表征活性金屬面積，分散度，平均晶粒尺寸等參數(shù)。