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導語

智能PECVD設備是目前最新型的一款設備，將所有的控制部分集為一體，此款設備是我司在2013年獲得專利的設備?？膳鋫銹E射頻電源，將CVD系統(tǒng)升級為PECVD。當參與反應的氣氛進入爐管在射頻電源的作用下產(chǎn)生離子體，可使反應更加充分。同時等離子體起增強的作用，從而很大程度上優(yōu)化實驗的工藝條件。

我公司研制的PECVD系統(tǒng)能使整個實驗腔體都處于輝光產(chǎn)生區(qū)，輝光均勻等效，這種技術(shù)很好的解決了傳統(tǒng)等離子工作不穩(wěn)定狀態(tài)，這樣離子化的范圍和強度是傳統(tǒng)PECVD的百倍，并解決了物料不均勻堆積現(xiàn)象。

1、與傳統(tǒng)CVD系統(tǒng)比較，生長溫度更低。

2、設備特有的專利技術(shù)使得整管輝光均勻等效，均勻生長。

設備特點：

1.薄膜沉積速率高：射頻輝光技術(shù)，大大的提高了薄膜的沉積速率，沉積速率可達10A/S；

2. 大面積均勻性高：采用了先進的多點射頻饋入技術(shù)，特殊氣路分布和加熱技術(shù)等，使得薄膜均勻性指標達到8%；

3. 一致性高：用半導體行業(yè)的先進設計理念，使得一次沉積的各基片之間偏差低于2%；

4. 工藝穩(wěn)定性高：高度穩(wěn)定的設備保證了工藝的連續(xù)和穩(wěn)定。

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