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        從微觀到應(yīng)用:探秘單晶和多晶金剛石


        來源:中國粉體網(wǎng)   留白

        [導讀]  金剛石可細分為單晶金剛石與多晶金剛石,這兩類材料雖具備諸多共性,但微觀結(jié)構(gòu)的不同致使它們在性能表現(xiàn)、制備手段以及應(yīng)用范疇等層面呈現(xiàn)出顯著區(qū)別。

        中國粉體網(wǎng)訊  金剛石,素有“硬度之王”的美譽,在材料科學領(lǐng)域占據(jù)著舉足輕重的地位。依據(jù)晶體結(jié)構(gòu)差異,金剛石可細分為單晶金剛石與多晶金剛石,這兩類材料雖具備諸多共性,但微觀結(jié)構(gòu)的不同致使它們在性能表現(xiàn)、制備手段以及應(yīng)用范疇等層面呈現(xiàn)出顯著區(qū)別。

         

        微觀結(jié)構(gòu)差異

         

        單晶金剛石擁有高度規(guī)整、近乎完美的晶體結(jié)構(gòu)。從原子尺度來看,碳原子呈嚴密有序的三維周期性排列,晶格完整連貫。整個晶體由單一晶核萌芽,遵循特定結(jié)晶學方向穩(wěn)步生長,全程不受晶界干擾。這使得電子云分布均勻?qū)ΨQ,化學鍵能恒定且強大,維系著物理性質(zhì)在宏觀層面的極致均一性。


         

        圖左為單晶金剛石,右為多晶金剛石

         

        相較之下,多晶金剛石恰似一幅由無數(shù)微小“晶體拼圖”拼合而成的“微馬賽克”畫卷。它由眾多細小的納米級小顆粒聚集而成,這些小顆粒的晶體結(jié)構(gòu)與單晶金剛石類似,但它們的排列無序,位向不一致,顆粒間通過不飽和鍵結(jié)合,存在明顯的晶界,晶體結(jié)構(gòu)不均勻,缺陷相對較多。

         

        物理性能差異

         

        硬度與耐磨性

         

        單晶金剛石是自然界中硬度最高的物質(zhì)之一,摩氏硬度為10,具有極高的耐磨性,刀刃可達到原子級的平直度及鋒利度,切削時能將刀刃的完美狀態(tài)復制在被加工物上,加工出光潔度極高的鏡面,適用于超薄切削和超精密加工。

         

        多晶金剛石:硬度稍低于單晶金剛石,但仍具有優(yōu)異的耐磨性能,且其獨特的韌性和自銳性使其在研磨和拋光過程中,粗顆粒會破碎成更小的顆粒,不斷露出新的切削刃,既保證了樣品表面的磨拋質(zhì)量,又提高了研磨切削效率,更適合研磨表面由不同硬度材料構(gòu)成的工件。

         

        熱導率與熱穩(wěn)定性

         

        單晶金剛石:室溫下熱導率高達2000 W/(m·K)以上,熱導率基本來自碳原子振動即聲子的傳播,其高度有序的晶格結(jié)構(gòu)幾乎不存在晶界散射的影響,能在高溫高壓環(huán)境下保持穩(wěn)定的物理和化學性質(zhì),可應(yīng)用于大功率半導體散熱、激光設(shè)備溫控等領(lǐng)域。

         

        多晶金剛石:熱導率雖因晶界散射有所降低,但在特定溫度區(qū)間內(nèi),晶界對聲子散射路徑的干擾可轉(zhuǎn)化為優(yōu)勢,實現(xiàn)對熱導率的調(diào)控,可作為半導體功率器件散熱的熱沉應(yīng)用,其沉淀技術(shù)水平相對容易實現(xiàn),制備成本也更具優(yōu)勢。

         

        光學性能

         

        單晶金剛石:光學折射率高,吸收系數(shù)極低,光線穿透時損耗極小,打磨成型后可用于紅外光學窗口、高端顯微鏡物鏡等,CVD法制備的高質(zhì)量單晶金剛石可做到完全無色透明,從紫外到紅外以及微波范圍都有優(yōu)良的透過性,理論透過率高達71.6%,還可用作性能優(yōu)異的晶體拉曼材料。

         

        多晶金剛石:因晶界散射,光學均勻性受限,但經(jīng)特殊工藝優(yōu)化晶粒尺寸、降低晶界影響后,可在部分對成本敏感、光學精度要求相對溫和的照明、顯示器件領(lǐng)域得到應(yīng)用。

         

        制備工藝差異

         

        單晶金剛石:

         

        高溫高壓法(HTHP):在高溫(1200-2000℃)、高壓(5-6 GPa)及金屬觸媒的作用下,使石墨原料中的碳原子重新排列形成單晶金剛石,該方法可產(chǎn)出大顆粒寶石級單晶,但設(shè)備造價高,操作復雜,且晶體尺寸和生長速率受工藝限制。

         

        化學氣相沉積法(CVD):在低壓高溫的腔室中,利用等離子體、熱絲等激活含碳氣體,促使碳原子逐層沉積在襯底上生長出單晶金剛石,這種方法制備的晶體純度高,可精準調(diào)控生長參數(shù),適合半導體級單晶的批量生產(chǎn),但生長速度相對較慢。

         

        多晶金剛石:

         

        直接轉(zhuǎn)化法:將石墨粉與金屬粘結(jié)劑混合,經(jīng)短時高溫高壓燒結(jié),使石墨快速轉(zhuǎn)化為多晶金剛石,該工藝簡單、成本低,可快速制造塊狀、異形多晶產(chǎn)品,常用于工業(yè)刀具的生產(chǎn)。

         

        CVD法:通過調(diào)整沉積氣壓、溫度、氣體流量等參數(shù),促使大量晶核生成并生長,從而得到多晶金剛石,可靈活控制晶粒尺寸和晶界特性,用于刀具涂層、微機電系統(tǒng)(MEMS)精細部件等領(lǐng)域。

         

        應(yīng)用領(lǐng)域多元

         

        單晶金剛石:

         

        半導體領(lǐng)域:作為理想的襯底材料,其寬禁帶、高載流子遷移率等特性有助于晶體管、功率模塊突破高頻、高壓運行瓶頸,推動5G基站、電動汽車動力系統(tǒng)芯片等的革新。

         

        光學儀器制造:用于制造高精度的光學窗口、透鏡等,如紅外探測器、太空望遠鏡等,可提高設(shè)備的光線捕捉和解析能力。

         

        超精密加工:如制造切削工具,可實現(xiàn)對材料的高精度、高效率加工,在加工有色金屬時,表面粗糙度可達Rz0.1-Rz0.05μm,被加工工件的形狀精度控制在50nm以下。

         

        多晶金剛石:

         

        研磨拋光:作為精密磨料,廣泛應(yīng)用于藍寶石晶片、碳化硅晶片、功能陶瓷等硬脆材料的精磨和拋光,能在保證加工質(zhì)量的同時提高效率。

         

        電子封裝:多晶金剛石薄膜可作為散熱基板,解決芯片發(fā)熱問題,為電子產(chǎn)品的輕薄化和性能提升提供支持。

         

        半導體散熱:多晶金剛石膜可作為半導體功率器件散熱的熱沉,提高器件的散熱性能,保證其穩(wěn)定運行。

         

        結(jié)語

         

        現(xiàn)階段,在單晶金剛石的研究方向上,科研團隊著重攻克兩大難題,一是降低生產(chǎn)成本,實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn),二是探索大尺寸單晶金剛石的生長方法;與此同時,還積極開展新型摻雜技術(shù)、缺陷調(diào)控技術(shù)的探索,力求挖掘更多潛在性能。對于多晶金剛石而言,研發(fā)工作聚焦于對晶界結(jié)構(gòu)進行智能化設(shè)計,通過精準調(diào)控,使多晶金剛石在既定方向上優(yōu)化性能,滿足特定工業(yè)需求。隨著科技不斷進步,單晶金剛石與多晶金剛石必將持續(xù)發(fā)揮關(guān)鍵作用,助力更多未知技術(shù)創(chuàng)新得以實現(xiàn)。

         

        參考來源:

        鄭宇亭:金剛石表面狀態(tài)控制及應(yīng)用基礎(chǔ)研究

        方嘯虎等:培育大單晶金剛石的現(xiàn)狀與未來

        許坤等:MPCVD法生長曲面多晶金剛石薄膜研究

        中國粉體網(wǎng)

         

        (中國粉體網(wǎng)編輯整理/留白)

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