中國粉體網(wǎng)訊 化學機械拋光(CMP)是集成電路的關(guān)鍵制造步驟之一，其效果直接影響到晶圓、芯片最終的質(zhì)量和良率。典型的CMP漿料由分散在酸性或堿性溶液中的納米或者亞微米級磨料組成，磨料顆粒的粒度分布是直接影響CMP效果也即平均磨除率、平整度與均勻性、選擇比和表面缺陷的關(guān)鍵指標。
研磨液顆粒尺寸會對拋光表面的表面質(zhì)量產(chǎn)生顯著影響。大量所謂的超大顆粒往往會在拋光的晶片上產(chǎn)生高的劃痕數(shù)。對于超大顆粒分類的具體界限，目前還沒有達成一致意見。然而，人們普遍認為，在CMP過程中，大于1.0μm的顆�？隙〞⻊潅蠖鄶�(shù)表面。大于0.5μm的顆粒也有可能導致劃痕相關(guān)缺陷。這意外地與最流行的光學粒子計數(shù)器之一的尺寸限制（0.5μm）一致。超大顆粒對氣相二氧化硅研磨液的影響及其與二氧化硅薄膜劃痕的相關(guān)性，發(fā)現(xiàn)該計數(shù)與在基底上觀察到的劃痕數(shù)量直接相關(guān)。發(fā)現(xiàn)引起劃痕的顆粒的等效直徑為0.68μm。
隨著半導體工業(yè)飛速發(fā)展，電子器件尺寸縮小，要求晶片表面平整度達到納米級。作為芯片制造不可或缺的一環(huán)，CMP工藝在設(shè)備和材料領(lǐng)域歷來是“兵家必爭之地”。而CMP工藝離不開研磨料的發(fā)展，那么對于磨料的顆粒粒度表征就顯得尤為重要。
CMP磨料顆粒的典型尺寸范圍是50-250nm，典型的過大聚集體為1-10μm，并出現(xiàn)在ppm范圍內(nèi)。顆粒表征的挑戰(zhàn)來自于精確確定納米級顆粒尺寸，同時還識別出相對較少的微米級聚集體。CPS納米粒度分析儀是表征磨料顆粒粒度的有力工具。它可以分析任何粒度分布介于0.005和75微米的顆粒，提供比其他粒度分析方法好2到10倍的分辨率。最小峰值寬度可小至峰值直徑的2%，粒徑差別在大于3%的窄峰可以被完全分辨出來。
儒亞科技(北京)有限公司（簡稱：儒亞科技）是一家專業(yè)的分析儀器供應商和工業(yè)自動化物聯(lián)網(wǎng)解決方案提供商，前身是荷蘭安米德公司上海代表處和德國Rubotherm GmbH中國分公司。
儒亞科技通過其世界領(lǐng)先的高速圓盤離心高精度納米粒度分析儀、激光視頻雙通道激光粒度粒形分析儀、高精度在線粘度分析儀、物聯(lián)網(wǎng)油液IoT在線分析系統(tǒng)等產(chǎn)品為各行各業(yè)的生產(chǎn)和研發(fā)賦能。同時也為新能源、石化、化工、半導體、生物制藥、環(huán)保、新材料等領(lǐng)域提供最新科技前沿的技術(shù)。
在CMP研磨拋光領(lǐng)域，儒亞科技提供兩款粒度表征利器，一款是涵蓋5納米到75微米超寬粒徑范圍的美國CPS公司的高精度圓盤離心納米粒度分析儀，另外一款是激光和視頻雙通道的荷蘭安米德公司的EyeTech激光粒度粒形分析儀，服務于CMP漿料的粒度和粒形表征�？梢杂行y量得到漿料磨料顆粒的粒徑大小、粒徑分布均一性、顆粒的圖像以及每個顆粒的40個形狀參數(shù)，從而保證拋光的效果，降低缺陷并提高良率。
2024年7月9日，中國粉體網(wǎng)將在鄭州舉辦“2024高端研磨拋光材料技術(shù)大會”。屆時，儒亞科技(北京)有限公司總經(jīng)理熊向軍將帶來《高速離心納米粒度儀在超硬材料和高效研磨領(lǐng)域的應用》的報告，報告中詳細介紹用于研磨拋光行業(yè)中的兩款納米粒度分析儀。
來源：Royalab、儒亞科技官網(wǎng)
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）
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