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        新品發(fā)布!威斯派爾氮化硅覆銅陶瓷基板


        來源:威斯派爾

        [導(dǎo)讀]  據(jù)威斯派爾官微消息,該公司新產(chǎn)品——高性能、低成本的WSP65-02A氮化硅覆銅陶瓷基板發(fā)布。

        中國粉體網(wǎng)訊  5月14日,據(jù)威斯派爾官微消息,該公司新產(chǎn)品——高性能、低成本的WSP65-02A氮化硅覆銅陶瓷基板發(fā)布。



        在功率散熱材料設(shè)計(jì)中,尋找可靠性、工藝參數(shù)、性能以及成本之間的精妙平衡至關(guān)重要。WSP65覆銅陶瓷基板便是在這種設(shè)計(jì)思路下誕生的一種材料,是ZTA-DBC的完美升級(jí)產(chǎn)品:

        ● 65W/m.K氮化硅陶瓷,導(dǎo)熱率高2倍以上,斷裂韌性2倍以上;

        ● 可靠性5倍以上;

        ● 優(yōu)選陶瓷型號(hào), 性能和成本的最優(yōu)選擇。


        WSP65覆銅陶瓷基板旨在為汽車、工業(yè)和新能源應(yīng)用的功率模塊散熱性能提供顯著提升,在車載IGBT模塊,光伏PIM模塊,工業(yè)IGBT功率模塊等中已有成功應(yīng)用,威斯派爾目前向客戶開放WSP65-02A的樣品申請。同時(shí),隨著可靠性試驗(yàn)逐步展開,威斯派爾也將公開更多的可靠性研究數(shù)據(jù)。



        此外,WSP65-02A通過優(yōu)選高性價(jià)比型號(hào)陶瓷、無氧銅和無銀活性金屬釬焊進(jìn)行AMB工藝,展現(xiàn)了卓越的作業(yè)性能,當(dāng)將硅基芯片燒結(jié)至基板時(shí),其極接近Si芯片的CTE和65W/m.K以上的導(dǎo)熱率意味著不僅機(jī)械強(qiáng)度和散熱能力得以大幅提升,還可以進(jìn)一步提高模塊的功率性能,從而提升成本效益。


        (中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青)

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