中國粉體網(wǎng)訊 3月27日，嘉興國家高新區(qū)（高照街道）一季度重大項(xiàng)目集中簽約儀式舉行，現(xiàn)場(chǎng)有四個(gè)重大項(xiàng)目簽約浙江。
其中，總投資約52億元的瓷新半導(dǎo)體材料總部項(xiàng)目計(jì)劃建設(shè)年產(chǎn)3000萬片的氮化硅基板及3000萬片氮化硅覆銅板，項(xiàng)目投產(chǎn)后將有效填補(bǔ)國內(nèi)高端氮化硅陶瓷材料產(chǎn)業(yè)空白，進(jìn)一步完善高新區(qū)汽車功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，推動(dòng)秀洲芯片產(chǎn)業(yè)做大做強(qiáng)。
Si3N4具有高導(dǎo)熱、高強(qiáng)度、高韌性、低密度、自潤滑性、優(yōu)異的抗熱震性，是國內(nèi)外公認(rèn)兼具高導(dǎo)熱、高可靠性等綜合性能最好的陶瓷基板材料，適用于IGBT、SiC等對(duì)大功率半導(dǎo)體器件等要求高可靠性的絕緣電路板用途。據(jù)ICR World數(shù)據(jù)顯示，得益于新能源車的快速發(fā)展，2026年，全球氮化硅陶瓷基板行業(yè)總產(chǎn)值預(yù)計(jì)達(dá)1.83億美元, 全球市場(chǎng)復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到8.16%。
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）
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