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        華為在芯片—金剛石散熱領(lǐng)域取得重大突破


        來源:中國粉體網(wǎng)   山川

        [導(dǎo)讀]  華為又遙遙領(lǐng)先了?

        中國粉體網(wǎng)訊  近年來 IT 技術(shù)飛速發(fā)展,越來越多的器件被要求封裝在更小的空間內(nèi),并且運算速度對器件的工作頻率提出了更高的要求,使得電子器件在工作時的熱流密度迅速升高,從而溫度也會不斷升高。這需要采取有效的散熱措施。



        圖片來源:pixabay


        迄今為止,金剛石是已知材料中熱導(dǎo)率最高的,并且其熱膨脹系數(shù)很低,具有良好的電絕緣性,非常符合電子封裝材料的應(yīng)用要求。既然如此,很多人開始研究如何將金剛石這些優(yōu)點應(yīng)用到電子器件的散熱中去。


        早在2014年,華為技術(shù)團隊便與廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院于大全教授團隊在Journal of Materials Science & Technology上發(fā)表了“基于反應(yīng)性納米金屬層的金剛石低溫鍵合技術(shù)”成果。近日,華為技術(shù)團隊與于大全、鐘毅老師團隊、廈門云天團隊合作在先進封裝玻璃轉(zhuǎn)接板集成芯片-金剛石散熱技術(shù)領(lǐng)域又取得突破性進展。


        成果顯示,合作團隊克服了微凸點保護、晶圓翹曲等行業(yè)難題,成功將多晶金剛石襯底集成到2.5D玻璃轉(zhuǎn)接板(Interposer)封裝芯片的背面,并采用熱測試芯片(TTV)研究其散熱特性。利用金剛石的超高熱導(dǎo)率,在芯片熱點功率密度為~2 W/mm2時,集成金剛石散熱襯底使得芯片最高結(jié)溫降低高達24.1 ℃,芯片封裝熱阻降低28.5%。先進封裝芯片-金剛石具有極為優(yōu)越的散熱性能,基于金剛石襯底的先進封裝集成芯片散熱具有重大的應(yīng)用前景。


        多晶金剛石襯底集成到玻璃轉(zhuǎn)接板封裝芯片背面及其散熱性能表征


        這項研究將金剛石低溫鍵合與玻璃轉(zhuǎn)接板技術(shù)相結(jié)合,首次實現(xiàn)了將多晶金剛石襯底集成到玻璃轉(zhuǎn)接板封裝芯片的背面。該技術(shù)路線符合電子設(shè)備尺寸小型化、重量輕量化的發(fā)展趨勢,同時與現(xiàn)有散熱方案有效兼容,成為當(dāng)前實現(xiàn)芯片高效散熱的重要突破路徑,并推動了金剛石散熱襯底在先進封裝芯片集成的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。



        該成果以“Heterogeneous Integration of Diamond-on-Chip-on-Glass Interposer for Efficient Thermal Management”為題發(fā)表在微電子器件封裝制造領(lǐng)域的國際權(quán)威期刊IEEE Electron Device Letters上,并被選為當(dāng)期封面文章(Front cover)及編輯精選文章(Editors’ Picks)。


        資料來源:廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院


        (中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川)

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        作者:山川

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