中國(guó)粉體網(wǎng)訊 12月下旬，天合光能連續(xù)公布了多條新專利，涉及太陽(yáng)能電池及光伏組件等方面的高達(dá)6條，粉體網(wǎng)小編整理如下。
1、太陽(yáng)能電池及光伏組件
技術(shù)領(lǐng)域：本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種太陽(yáng)能電池及光伏組件。
背景技術(shù)：TOPCon（Tunnel Oxide Passivated Contact solar cell，隧穿傳輸層鈍化接觸）利用一層超薄氧化硅和一層重?fù)诫s的多晶硅組成，用于電池背光側(cè)的鈍化，可實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的表面鈍化和載流子的選擇性收集，提高電池的轉(zhuǎn)化效率�，F(xiàn)TOPCon電池的隧穿傳輸層鈍化技術(shù)現(xiàn)多用于電池的背光側(cè)，因?yàn)槎嗑Ч璞旧泶嬖诩纳馕論p耗，如果將TOPCon的隧穿鈍化結(jié)構(gòu)直接應(yīng)用到電池的向光側(cè)，則會(huì)影響太陽(yáng)能電池對(duì)光的吸收，太陽(yáng)能電池的光寄生損耗增加，會(huì)阻礙電池轉(zhuǎn)換效率的提升。因此，需研究太陽(yáng)能電池向光側(cè)的鈍化技術(shù)以提高太陽(yáng)能電池效率。
發(fā)明內(nèi)容：針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供一種太陽(yáng)能電池及光伏組件，通過(guò)在太陽(yáng)能電池的至少一面上形成局部隧穿鈍化結(jié)構(gòu)，在不增加太陽(yáng)能電池的光寄生損失的基礎(chǔ)上，提高太陽(yáng)能電池的局部鈍化效果，從而提高太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)化效率。
本發(fā)明提供了一種太陽(yáng)能電池及光伏組件。所述太陽(yáng)能電池包括基底，所述基底包括相對(duì)設(shè)置的第一面和第二面；所述基底的至少一面包括非金屬化區(qū)域和金屬化區(qū)域；在所述非金屬化區(qū)域依次疊層設(shè)置有第一摻雜層和減反射層；在所述金屬化區(qū)域依次疊層設(shè)置有所述第一摻雜層、隧穿傳輸層、第二摻雜層、所述減反射層和電極層，所述電極層穿過(guò)所述減反射層與所述第二摻雜層直接接觸。
2、薄膜電池組件、鈣鈦礦電池組件及光伏系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域：本申請(qǐng)屬于電池技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜電池組件、鈣鈦礦電池組件及光伏系統(tǒng)。
背景技術(shù)：薄膜電池組件的性能會(huì)受到制程中表面膜成質(zhì)量的限制。組件越大，成膜面積越大，使得工藝越復(fù)雜，設(shè)備要求越高，工藝參數(shù)控制難度高，成品率較低，并且整體組件的輸出效率越低。
發(fā)明內(nèi)容：本申請(qǐng)旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一。為此，本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N薄膜電池組件、鈣鈦礦電池組件及光伏系統(tǒng)，電池組件的工藝限制較小，工藝難度低，降低了設(shè)備要求，成品率更高，電池組件的輸出效率更高。
薄膜電池組件包括：封裝框架；多個(gè)薄膜電池塊，封裝于封裝框架內(nèi)，薄膜電池塊包括多個(gè)子電池、正極接觸部和負(fù)極接觸部，每個(gè)薄膜電池塊內(nèi)的各子電池分別與正極接觸部和負(fù)極接觸部電連接；導(dǎo)電連接件包括多個(gè)匯流條，各薄膜電池塊的正極接觸部和負(fù)極接觸部通過(guò)多個(gè)匯流條導(dǎo)電連接。
3、太陽(yáng)能電池及其制作方法、光伏組件及光伏系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域：本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種太陽(yáng)能電池及其制作方法、光伏組件及光伏系統(tǒng)。
背景技術(shù)：隨著光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)的快速發(fā)展，國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)對(duì)太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率也提出越來(lái)越高的需求，業(yè)內(nèi)眾多廠商均在積極進(jìn)行高效電池的開(kāi)發(fā)與研究。其中，表面鈍化接觸技術(shù)近年成為業(yè)內(nèi)的研究熱點(diǎn)，TOPCon技術(shù)是指在電池表面制備一層超薄的隧穿氧化層和一層摻雜多晶硅薄層，二者共同形成鈍化接觸結(jié)構(gòu)，能夠極大地降低金屬接觸復(fù)合電流，提升電池的開(kāi)路電壓和短路電流。然而相關(guān)技術(shù)的TOPCon電池中在電池邊緣面存在大量的復(fù)合，導(dǎo)致太陽(yáng)能電池的效率較低。
發(fā)明內(nèi)容：鑒于上述問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N太陽(yáng)能電池及其制作方法、光伏組件及光伏系統(tǒng)，能夠提高太陽(yáng)能電池的效率。
太陽(yáng)能電池，包括：基底，包括相對(duì)設(shè)置的第一表面、第二表面，以及鄰接于第一表面和第二表面之間的多個(gè)側(cè)面；摻雜導(dǎo)電層和第一鈍化膜層，依次層疊設(shè)置于第一表面，且僅覆蓋第一表面；減反射膜層，層疊設(shè)置于第一鈍化膜層上，減反射膜層覆蓋第一表面，以至少覆蓋第一鈍化膜層；鈍化接觸層，設(shè)于第二表面；以及第二鈍化膜層，層疊設(shè)置于鈍化接觸層上，第二鈍化膜層覆蓋第二表面，以至少覆蓋鈍化接觸層；其中，第二鈍化膜層還覆蓋各側(cè)面的至少部分。
4、太陽(yáng)能電池及其制作方法、光伏組件及光伏系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域：本申請(qǐng)涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及太陽(yáng)能電池及其制作方法、光伏組件及光伏系統(tǒng)。
背景技術(shù)：選擇性發(fā)射極(Selective Emitter，SE)激光摻雜技術(shù)，是在基底的表面的接觸區(qū)域擴(kuò)散而形成重?fù)诫s區(qū)域，在非接觸區(qū)域輕摻雜的技術(shù)。選擇性發(fā)射電極能夠降低接觸區(qū)域的接觸電阻，降低太陽(yáng)能電池的串阻，同時(shí)輕摻雜區(qū)域能有效減少載流子復(fù)合，提高基底表面的鈍化。
在上述重?fù)诫s的過(guò)程中，若重?fù)诫s效果不佳，則會(huì)導(dǎo)致柵線與基底的接觸復(fù)合變大。若采用高能激光形成重?fù)诫s區(qū)域來(lái)改善重?fù)诫s效果，則容易導(dǎo)致基底上對(duì)應(yīng)于重?fù)诫s區(qū)域的部分破壞嚴(yán)重，使得表面缺陷增加，同時(shí)也會(huì)導(dǎo)致部分臟污顆粒通過(guò)激光擴(kuò)散至太陽(yáng)能電池更深的位置，在制作柵線后，帶來(lái)更大的漏電風(fēng)險(xiǎn)。
發(fā)明內(nèi)容：基于此，有必要提供一種太陽(yáng)能電池及其制作方法、光伏組件和光伏系統(tǒng)，以在改善柵線的接觸復(fù)合的同時(shí)改善重?fù)诫s效果、降低太陽(yáng)能電池的表面缺陷以及漏電風(fēng)險(xiǎn)，提高太陽(yáng)能電池的開(kāi)路電壓和光電轉(zhuǎn)換效率。
本申請(qǐng)涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，通過(guò)在目標(biāo)重?fù)诫s區(qū)域上形成摻雜程度不同的目標(biāo)子區(qū)域，進(jìn)而在提高摻雜的有效性的同時(shí)降低重?fù)诫s過(guò)程對(duì)于基底的損傷，改善了太陽(yáng)能電池的表面缺陷。由于與目標(biāo)重?fù)诫s區(qū)域?qū)?yīng)的第一柵線，與該目標(biāo)重?fù)诫s區(qū)域的第一目標(biāo)子區(qū)域歐姆接觸，能夠在實(shí)現(xiàn)第一柵線與摻雜層歐姆接觸的同時(shí)改善第一柵線對(duì)應(yīng)于其他結(jié)深的目標(biāo)子區(qū)域內(nèi)的部分與摻雜層之間的接觸復(fù)合，減少了第一柵線和摻雜層的接觸面積，增加了鈍化面積。
5、太陽(yáng)能電池及其制作方法、光伏組件及光伏系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域：本發(fā)明涉及光伏技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及--種太陽(yáng)能電池及其制作方法、光伏組件及光伏系統(tǒng)。
背景技術(shù)：隨著光伏技術(shù)的不斷發(fā)展，人們對(duì)晶體硅太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率的要求也越來(lái)越高，但目前產(chǎn)業(yè)化太陽(yáng)能電池效率的提高仍面臨著很多挑戰(zhàn)。相關(guān)技術(shù)的太陽(yáng)能電池中，為了降低復(fù)合速率、延長(zhǎng)少子壽命提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，一般會(huì)對(duì)硅基底進(jìn)行鈍化處理，在硅基底表面形成鈍化接觸結(jié)構(gòu)以降低表面載流子的復(fù)合，從而減小因硅基底內(nèi)部缺陷所帶來(lái)的影響。其中，常見(jiàn)的鈍化接觸結(jié)構(gòu)將隧穿氧化層與重?fù)诫s的多晶硅層相結(jié)合，通過(guò)隧穿氧化層的化學(xué)鈍化作用降低硅基底與多晶硅之間的界面復(fù)合。同時(shí)隧穿氧化層也可以起到較好的隧穿作用，使得多數(shù)載流子通過(guò)隧穿原理實(shí)現(xiàn)運(yùn)輸，而少數(shù)載流子則因?yàn)檩^高的勢(shì)壘難以隧穿通過(guò)隧穿氧化層進(jìn)入多晶硅層中被復(fù)合。然而，相關(guān)技術(shù)太陽(yáng).能電池中，常常存在鈍化接觸結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)不連續(xù)、完整性較差的問(wèn)題，導(dǎo)致鈍化接觸結(jié)構(gòu)的表面鈍化效果不佳，影響了太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。
發(fā)明內(nèi)容：基于此，有必要提供一種太陽(yáng)能電池及其制作方法、光伏組件及光伏系統(tǒng)，能夠改善鈍化接觸結(jié)構(gòu)的表面鈍化效果，降低表面復(fù)合，提升太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。
本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)能電池及其制作方法、光伏組件及光伏系統(tǒng)。太陽(yáng)能電池包括基底和鈍化接觸結(jié)構(gòu)；鈍化接觸結(jié)構(gòu)包括依次設(shè)置于基底的一個(gè)表面的第一隧穿氧化層、多晶硅摻雜導(dǎo)電層以及第二隧穿氧化層；其中，多晶硅摻雜導(dǎo)電層和第一隧穿氧化層的至少部分區(qū)域形成有多個(gè)間隔布置的孔洞，各孔洞貫穿多晶硅摻雜導(dǎo)電層，并延伸至第一隧穿氧化層中；第二隧穿氧化層至少填充各孔洞的位于第一隧穿氧化層中的部分。本發(fā)明能夠改善鈍化接觸結(jié)構(gòu)的表面鈍化效果，降低表面復(fù)合，提升太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。
6、太陽(yáng)能電池及其制備方法、光伏系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域：本申請(qǐng)涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種太陽(yáng)能電池及其制備方法、光伏系統(tǒng)。
背景技術(shù)：TOPCon電池(隧穿氧化層鈍化接觸電池)，是一種使用超薄氧化層作為鈍化層結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)電池。通過(guò)超薄的隧穿氧化層和一層摻雜的多晶硅薄層，二者共同形成鈍化接觸結(jié)構(gòu)，能夠有效降低表面復(fù)合和金屬接觸復(fù)合，為硅片的背面提供良好的表面鈍化，能夠有效地降低背面復(fù)合電流密度，提高電池光電轉(zhuǎn)換效率。
傳統(tǒng)TOPCon電池通過(guò)刻蝕或者激光消融使部分摻雜多晶硅層裸露，再制備電極與摻雜多晶硅層形成歐姆接觸（或稱電連接），然而刻蝕或者激光消融工藝對(duì)鈍化層及減反射層的損傷較大，對(duì)TOPCon電池的性能提升有較大的影響。
發(fā)明內(nèi)容：基于此，有必要提供一種減少對(duì)鈍化層及減反射層的損傷及復(fù)合，光電轉(zhuǎn)換效率較高的太陽(yáng)能電池及其制備方法。
本申請(qǐng)涉及一種太陽(yáng)能電池及其制備方法、光伏系統(tǒng)。該太陽(yáng)能電池包括：基底層，包括沿其厚度方向相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面；隧穿氧化層、第一摻雜多晶硅層和第一鈍化層，沿逐漸遠(yuǎn)離基底層的方向依次設(shè)置于基底層的第一表面；以及第一細(xì)柵層，至少一條所述第一細(xì)柵設(shè)置于第一連接孔，所述第一連接孔的孔底位于所述第一摻雜多晶硅層中，各第一細(xì)柵穿過(guò)各自對(duì)應(yīng)的第一連接孔與第一摻雜多晶硅層電連接；在第一方向上，各第一連接孔的寬度均小于與第一連接孔對(duì)應(yīng)的第一細(xì)柵的寬度。該太陽(yáng)能電池在保證良好電連接的情況下，對(duì)太陽(yáng)能電池的鈍化結(jié)構(gòu)的損傷及復(fù)合較小，具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率。
參考來(lái)源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局
（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/星耀）
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