中國粉體網訊  近年來，以碳化硅為代表的寬禁帶半導體器件，受到了廣泛的關注。碳化硅材料具有3倍于硅材料的禁帶寬度，10倍于硅材料的臨界擊穿電場強度，3倍于硅材料的熱導率。因此碳化硅功率器件適合于高頻、高壓、高溫等應用場合，且有助于電力電子系統(tǒng)的效率和功率密度的提升，憑借其卓越性能而被不斷應用于新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網等領域。

碳化硅市場的競爭已席卷全球，而中國龐大的市場是兵家必爭之地。近幾年，隨著光伏、新能源汽車的發(fā)展，中國在整個新能源產業(yè)中占據著舉足輕重的地位，而國產碳化硅也逐漸走進國際客戶的視野。

中電化合物&Power Master

2023年6月15日，中電化合物與韓國Power Master公司簽署長期供應SiC材料的協(xié)議，包括8英寸。中電化合物董事潘堯波表示，2023年8月份第一批8英寸碳化硅外延片將會向客戶交貨。

中電化合物目前碳化硅年產能2萬片，公司預計未來3年碳化硅年產能將達到8萬片。

三安光電&STMicroelectronics

2023年6月7日，三安光電公告宣布，公司全資子公司湖南三安與STMicroelectronics擬在重慶共同設立一家專門從事碳化硅外延、芯片生產的合資代工公司。合資公司主要從事碳化硅外延、芯片生產，項目在取得各項手續(xù)批復后開始建設，預計于2025年完成階段性建設并逐步投產，2028年達產，規(guī)劃達產后生產8英寸碳化硅晶圓10000片/周。

同時，三安光電擬在重慶設立8英寸碳化硅襯底工廠，以滿足合資工廠的襯底需求，并與其簽訂長期供應協(xié)議。達產后，規(guī)劃生產8英寸碳化硅襯底48萬片/年。

2023年9月6-8日，在SEMICON Taiwan 2023上，三安光電攜碳化硅全產業(yè)鏈產品亮相，除了推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET外，還首發(fā)了8英寸SiC襯底。

三安光電8英寸碳化硅襯底（來源：三安光電）

天科合達&Infineon

2023年5月3日，Infineon宣布與中國碳化硅供應商天科合達簽訂了一份長期協(xié)議，天科合達將為Infineon供應用于制造碳化硅半導體產品的高質量并且有競爭力的8英寸米碳化硅晶圓和晶錠，其供應量預計將占到Infineon長期需求量的兩位數份額。根據該協(xié)議，第一階段將側重于6英寸碳化硅材料的供應，未來天科合達也將提供8英寸直徑碳化硅材料。

天科合達8英寸碳化硅襯底（來源：天科合達）

天科合達2022年11月發(fā)布了8英寸導電型SiC襯底，目前已實現小批量供貨。計劃到2024年底，形成中批量供貨，并在2025年Q3形成穩(wěn)定的批量供貨。

天岳先進&Infineon

2023年5月3日，Infineon宣布與天岳先進簽訂一項新的晶圓和晶錠供應協(xié)議。根據該協(xié)議，天岳先進將為德國半導體制造商Infineon供應用于制造碳化硅半導體的高質量并且有競爭力的6英寸碳化硅晶圓和晶錠，其供應量預計將占到Infineon長期需求量的兩位數份額。Infineon還表示未來天岳先進也會助力公司往8英寸直徑碳化硅晶圓的過渡。

天岳先進自2020年便啟動了8英寸SiC襯底的研發(fā)，并在ICSCRM 2022上宣布成功研發(fā)了8英寸SiC襯底。該公司通過液相法制備出了低缺陷密度的8英寸SiC晶體，屬于業(yè)內首創(chuàng)。目前天岳先進8英寸SiC襯底上已經具備量產能力，已實現了小批量銷售。

在2023年9月19日，第十二屆中國知識產權年會上，天岳先進董事長宗艷民作為開幕式主旨演講嘉賓參加本次大會。宗艷民表示，未來，中國制造的碳化硅半導體材料，將繼續(xù)走出國門，影響世界，成為“中國制造”在國際市場的一張亮麗名片。

天岳先進&Bosch

2023年4月27日，天岳先進發(fā)布2022年年度報告，年報披露，2022年公司繼續(xù)秉持“先進品質持續(xù)”的經營理念，推動碳化硅材料應用與全球汽車電子知名企業(yè)博世集團簽署長期協(xié)議，公司加入博世集團的碳化硅襯底片供應商行列，以支持下游車企對高功率設備不斷增長的需求。

（中國粉體網編輯整理/長安）

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