中國粉體網(wǎng)訊 8月1日,九峰山實驗室6寸碳化硅(SiC)中試線全面通線,首批溝槽型MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)器件晶圓下線。至此,該實驗室已具備碳化硅外延、工藝流程、測試等全流程技術(shù)服務(wù)能力。
碳化硅(SiC)是化合物半導(dǎo)體材料,具備極好的耐壓性、導(dǎo)熱性和耐熱性,是制造功率器件、大功率射頻器件的突破性材料。在智能網(wǎng)聯(lián)汽車、新能源儲能等新興賽道的高速牽引下,化合物半導(dǎo)體快步走向臺前。
九峰山實驗室在充分調(diào)研及大量驗證測試的基礎(chǔ)上,充分梳理關(guān)鍵工藝及工藝風(fēng)險點,周密制定開發(fā)計劃,在4個月內(nèi)連續(xù)攻克碳化硅(SiC)器件刻蝕均一性差、注入后翹曲度高、柵極底部微溝槽等十余項關(guān)鍵工藝問題,系統(tǒng)性地解決了一直困擾業(yè)界的溝槽型碳化硅MOSFET器件的多項工藝難題。
瞄準(zhǔn)化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域,作為九大湖北實驗室之一的九峰山實驗室,成立于2021年,不到兩年便建設(shè)完成,今年3月投運,已建成目前全球化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最先進(jìn)、規(guī)模最大的科研和中試平臺,以及先進(jìn)的專業(yè)檢測平臺。
今年3月,九峰山實驗室8寸線已實現(xiàn)第一批研發(fā)產(chǎn)品樣品交付。
該實驗室相關(guān)負(fù)責(zé)人表示,未來將繼續(xù)以基礎(chǔ)性、前瞻性、特色性的原創(chuàng)成果和優(yōu)質(zhì)資源支持產(chǎn)業(yè)界解決關(guān)鍵工藝難題,為合作伙伴提供中立、開放的創(chuàng)新工藝研發(fā)平臺,加速技術(shù)創(chuàng)新。
(中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青)
注:圖片非商業(yè)用途,存在侵權(quán)告知刪除