中國粉體網(wǎng)訊 8月1日,九峰山實驗室6寸碳化硅(SiC)中試線全面通線,首批溝槽型MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應晶體管)器件晶圓下線。至此,該實驗室已具備碳化硅外延、工藝流程、測試等全流程技術(shù)服務(wù)能力。碳化硅(SiC[更多]
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