中國粉體網(wǎng)訊 6月17日，科友半導體宣布，以其自主設備和技術研發(fā)的6英寸SiC晶體在厚度上實現(xiàn)突破，達到32.146mm，業(yè)內(nèi)領先。此外，其自主研發(fā)的SiC長晶爐（感應）已有99%的部件實現(xiàn)國產(chǎn)替代。
據(jù)悉，科友半導體從2018年成立伊始就致力于半導體技術和產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新，目前，他們自主研發(fā)的SiC長晶爐（感應）已有99%的部件實現(xiàn)國產(chǎn)替代。
2021年11月，哈爾濱新區(qū)報報道曾指出，科友半導體已完成6英寸第三代半導體襯底制備，正在進行8英寸襯底研制。
在產(chǎn)業(yè)化方面，2021年10月，科友半導體產(chǎn)學研聚集區(qū)項目一期在建的生產(chǎn)車間大樓封頂并進行二次結構砌筑。據(jù)悉，一期生產(chǎn)車間大樓建成后將鋪設100臺套設備。項目全部達產(chǎn)后，最終形成年產(chǎn)碳化硅襯底近10萬片，高純半絕緣晶體1000公斤的產(chǎn)能；PVT-SiC晶體生長成套設備年產(chǎn)銷200臺套。
據(jù)悉，預計科友的生產(chǎn)車間、辦公樓及展示廳將于今年7月份全部交工驗收，8月正式投產(chǎn)。
科友半導體成立于2018年，主要攻關第三代半導體材料和裝備，在相繼突破4英寸和6英寸SiC襯底和裝備技術的基礎上，不斷向產(chǎn)業(yè)化方向邁進，目前已形成從材料到襯底和裝備的自主知識產(chǎn)權體系，具備規(guī)�；a(chǎn)條件。
今年5月20日，科友半導體發(fā)文稱，隨著2020年開工的科友半導體產(chǎn)學研聚集區(qū)項目一期工程逐漸收尾完工，以科友自有技術為依托的年產(chǎn)10萬片第三代半導體襯底材料生產(chǎn)線將于今年8月投產(chǎn)。
科友半導體產(chǎn)學研聚集區(qū)項目由哈爾濱科友半導體產(chǎn)業(yè)裝備與技術研究院有限公司和哈爾濱新區(qū)共同出資建設，項目占地4.5萬平方米，總投資10億元，將打造包括技術開發(fā)、裝備設計、襯底制造等在內(nèi)的全產(chǎn)業(yè)鏈的科技成果轉化及產(chǎn)業(yè)化應用研究集聚區(qū)；以哈爾濱為總部，打造國家級第三代半導體裝備與材料創(chuàng)新中心，通過國際合作、創(chuàng)新引智，改善產(chǎn)業(yè)結構發(fā)展半導體核心材料產(chǎn)業(yè)。
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川）
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