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            SiC長晶爐
            
    
            
    
            

            

            推薦科友半導體6英寸SiC晶體厚度突破32mm
            
	
            中國粉體網訊 6月17日，科友半導體宣布，以其自主設備和技術研發(fā)的6英寸SiC晶體在厚度上實現突破，達到32.146mm，業(yè)內領先。此外，其自主研發(fā)的SiC長晶爐（感應）已有99%的部件實現國產替代。據悉，科友半導體從201[更多]
            
            
            
              資訊
半導體陶瓷碳化硅襯底碳化硅單晶科友半導體SiC長晶爐
            
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            中國粉體網
            
          
      
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