中國粉體網(wǎng)訊  近日，據(jù)廈門火炬高技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)消息，位于高新區(qū)同翔高新城（翔安片區(qū)）的瀚天天成碳化硅產(chǎn)業(yè)園二期順利竣工，并于3月底進(jìn)行聯(lián)合驗(yàn)收，項(xiàng)目計(jì)劃今年二季度投產(chǎn)。

據(jù)了解，瀚天天成碳化硅產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目總投資6.3億元，一期項(xiàng)目已建成投產(chǎn)。擬建設(shè)6英寸SiC外延晶片生產(chǎn)線項(xiàng)目，建成投產(chǎn)后預(yù)計(jì)年產(chǎn)值20億元。此前，瀚天天成曾表示將首次突破碳化硅外延年出貨量10萬片大關(guān)，年底前產(chǎn)能將遠(yuǎn)超國際競爭對手。

瀚天天成成立于2011年，目前可提供標(biāo)準(zhǔn)的3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片，應(yīng)用于600V～6500V碳化硅電力電子功率器件，包括用于肖特基二極管（SBD）、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）、結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）和雙極結(jié)型晶體管（BJT）的制作。2021年3月，瀚天天成聯(lián)合電子科技大學(xué)、中國科學(xué)院相關(guān)院所、重慶偉特森電子科技有限公司，突破了碳化硅超結(jié)深槽外延關(guān)鍵制造工藝，助力國產(chǎn)高性能超結(jié)碳化硅器件研發(fā)。此外，2020年，瀚天天成獲華為哈勃投資入股。

碳化硅外延片，是指在碳化硅襯底上生長了一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶薄膜（外延層）的碳化硅片。實(shí)際應(yīng)用中，寬禁帶半導(dǎo)體器件幾乎都做在外延層上，碳化硅晶片本身只作為襯底。

碳化硅外延材料生長是是制備所需碳化硅功率器件的關(guān)鍵技術(shù)和瓶頸，許多重要器件所要求的結(jié)構(gòu)必須由外延生長來完成。碳化硅器件的性能很大程度上取決于碳化硅外延結(jié)構(gòu)材料的制作水平，不但要求外延材料表面形貌好、純度高、缺陷密度低，而且要求在寬范圍內(nèi)能夠?qū)崿F(xiàn)摻雜濃度的精確控制，厚度和摻雜的均勻性高。考慮到經(jīng)濟(jì)效益與制造成本，目前化學(xué)氣相沉積（CVD）法成為工業(yè)化碳化硅外延生長的主要方法。

目前，在全球市場中，外延片企業(yè)主要有 DowCorning、II-VI、Norstel、Wolfspeed、羅姆、三菱電機(jī)、Infineon 等。我國 SiC 外延材料研發(fā)工作始于“九五”計(jì)劃，材料生長技術(shù)及器件研究均取得較大進(jìn)展。主要研究單位有中科院半導(dǎo)體研究所、中電集團(tuán) 13所和 55 所、西安電子科技大學(xué)等，產(chǎn)業(yè)化公司除了瀚天天成外，還有東莞天域。

參考來源：

[1]化合物半導(dǎo)體市場

[2]田亮.碳化硅功率器件關(guān)鍵工藝研究

[3]半導(dǎo)體行業(yè)觀察.SiC整條產(chǎn)業(yè)鏈，華為投全了

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川）

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