中國粉體網(wǎng)訊  據(jù)《石家莊日報》近日報道，河北普興電子科技股份有限公司（以下簡稱“普興電子”）普興電子搬遷項目計劃于2022年9月竣工投產(chǎn)。

據(jù)了解，該項目是今年的河北省重點項目，一期占地130畝，總建筑面積7萬平方米，總投資5億元，主要建設有生產(chǎn)車間、辦公研發(fā)樓、動力站等，計劃于2022年9月竣工投產(chǎn)。項目投產(chǎn)后，普興電子將達到年產(chǎn)300萬片8英寸硅外延片、36萬片6英寸碳化硅外延產(chǎn)品的生產(chǎn)能力。全部投產(chǎn)以后，預計全年的產(chǎn)值將達到31億、利潤4億左右，可以提供500多個就業(yè)崗位。

普興電子已經(jīng)成功研制出的第三代寬帶隙半導體材料碳化硅和氮化鎵產(chǎn)品，突破了硅基器件的物理極限，具有禁帶寬度大、熱導率高、電子飽和遷移速率高和擊穿電場高、損耗低等特性，在高溫、高壓、高頻、大功率、耐輻射等電子器件領域廣泛應用，而這些場景恰恰對器件的散熱性能以及可靠性提出了嚴峻考驗。SiC 襯底具有高熱導率、高化學穩(wěn)定性、耐高溫等優(yōu)異性能，基于其制備的第三代半導體器件擁有更高的散熱性能，能夠提升器件的性能與可靠性，也有利于減小系統(tǒng)散熱模塊體積。而在 SiC 襯底上制備高質(zhì)量外延材料是提高器件性能及可靠性，推動第三代半導體在生產(chǎn)生活中的應用的關鍵。

碳化硅外延片，是指在碳化硅襯底上生長了一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶薄膜（外延層）的碳化硅片。實際應用中，寬禁帶半導體器件幾乎都做在外延層上，碳化硅晶片本身只作為襯底，包括GaN外延層的襯底。

據(jù)了解，普興電子是國內(nèi)最早從事硅外延材料技術研究的企業(yè)，主要產(chǎn)品為4-8英寸硅外延片和4-6英寸碳化硅外延片，已經(jīng)形成了系列化大批量的生產(chǎn)規(guī)模。

該公司擁有36項專利，先后榮獲中國電子材料行業(yè)半導體材料專業(yè)十強企業(yè)、全國電子信息行業(yè)百強優(yōu)秀企業(yè)、河北省著名商標企業(yè)等29項國家及省級獎項，近期還獲得了石家莊市2021年主導產(chǎn)業(yè)專項資金獎勵。

參考來源：石家莊日報、普興電子官網(wǎng)

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川）

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