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        研究人員找到新方法連接納米材料和金屬電極 有望延長摩爾定律


        來源:cnBeta.COM

        中國粉體網(wǎng)訊  摩爾定律預(yù)測可以裝入微芯片的晶體管數(shù)量將每兩年翻一番,最終達到物理極限。除非找到新的方法,否則這些限制可能會使幾十年的進展停頓下來。原子薄的納米材料是硅基晶體管的一個有前途的替代品,現(xiàn)在研究人員正在尋找將它們更有效地連接到其他芯片元件的方法。


        現(xiàn)在麻省理工學(xué)院、加州大學(xué)伯克利分校、臺積電和其他地方的研究人員發(fā)現(xiàn)了一種制造這些電氣連接的新方法,這可能有助于釋放二維材料的潛力并進一步實現(xiàn)元件的小型化,這可能足以延長摩爾定律。


        研究人員表示,他們解決了半導(dǎo)體設(shè)備小型化的最大問題之一,即金屬電極和單層半導(dǎo)體材料之間的接觸電阻,該解決方案被證明非常簡單,即使用一種半金屬,即鉍元素,來代替普通金屬與單層材料連接。


        這種超薄單層材料,在這種情況下是二硫化鉬,被認(rèn)為是繞過硅基晶體管技術(shù)現(xiàn)在遇到的小型化限制的主要競爭者。金屬和半導(dǎo)體材料(包括這些單層半導(dǎo)體)之間的界面產(chǎn)生了一種叫做金屬誘導(dǎo)的間隙狀態(tài)現(xiàn)象,這導(dǎo)致了肖特基屏障的形成,這種現(xiàn)象抑制了電荷載體的流動。使用一種半金屬,其電子特性介于金屬和半導(dǎo)體之間,再加上兩種材料之間適當(dāng)?shù)哪芰颗帕,結(jié)果是消除了這個問題。


        研究人員通過這項技術(shù),展示了具有非凡性能的微型化晶體管,滿足了未來晶體管和微芯片技術(shù)路線圖的要求。


        (中國粉體網(wǎng)編輯整理/青黎)




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