“AIST成功在300mm的晶圓上生長出單分子層石墨烯,對于我們來說是一個重要的里程碑,”愛思強納米技術(shù)設(shè)備總監(jiān)Ken Teo博士表示,“BM 300是技術(shù)最為先進的石墨烯生產(chǎn)平臺,擁有能夠精準地輸送前置物質(zhì)成熟的氣體輸送系統(tǒng)、ARGUS原位晶圓熱分布控制、高度均勻的晶圓加熱器、自動化處理器等。在300mm的晶圓上實現(xiàn)高度可控且可重復(fù)的石墨烯沉積,是進行大規(guī)模的晶圓級石墨烯生產(chǎn)的必要步驟,并為新一代的半導(dǎo)體設(shè)施開發(fā)具有獨特性質(zhì)的石墨烯奠定了基礎(chǔ)!
“AIST成功在300mm的晶圓上生長出單分子層石墨烯,對于我們來說是一個重要的里程碑,”愛思強納米技術(shù)設(shè)備總監(jiān)Ken Teo博士表示,“BM 300是技術(shù)最為先進的石墨烯生產(chǎn)平臺,擁有能夠精準地輸送前置物質(zhì)成熟的氣體輸送系統(tǒng)、ARGUS原位晶圓熱分布控制、高度均勻的晶圓加熱器、自動化處理器等。在300mm的晶圓上實現(xiàn)高度可控且可重復(fù)的石墨烯沉積,是進行大規(guī)模的晶圓級石墨烯生產(chǎn)的必要步驟,并為新一代的半導(dǎo)體設(shè)施開發(fā)具有獨特性質(zhì)的石墨烯奠定了基礎(chǔ)!
佐藤博士帶領(lǐng)AIST的團隊將運用該系統(tǒng)沉積出限定層數(shù)的高質(zhì)量石墨烯。這將是制造低電壓CMOS FET加工技術(shù)的主要步驟,使其能夠在低于0.3伏的電壓下工作。
該項研究由世界領(lǐng)先創(chuàng)新科技研發(fā)資金計劃(Funding Program for World-Leading Innovative R&D on Science and Technology,簡稱FIRST)投資,該計劃旨在鼓勵先進科技研發(fā),以增強日本的國際競爭力,并通過分享研究成果,為社會和人民的福祉作貢獻。FIRST計劃經(jīng)日本政府內(nèi)閣辦公室的綜合科學(xué)技術(shù)會議于2009年批準,由日本政府內(nèi)閣辦公以及日本學(xué)術(shù)振興會共同運營。這次晶圓加工研究在AIST研究所合作研究團隊的綠色納米電子中心(Green Nanoelectronics Center)進行,屬于FIRST 計劃的“綠色納米電子核心技術(shù)研發(fā)”項目(核心研究員:橫山直樹(Naoki Yokoyama)博士)的一部分。綠色納米電子中心成立于2010年4月,由來自學(xué)術(shù)界以及工業(yè)界的研究員組成。