自蔓燃高溫合成制粉技術(shù)
項(xiàng)目簡介
自蔓燃高溫合成（簡稱SHS）又稱燃燒合成（簡稱CS）、是近年來發(fā)展起來的一種材料合成新技術(shù)。其特點(diǎn)是利用物質(zhì)在合成時(shí)放出的大量熱能自發(fā)地促進(jìn)新物質(zhì)的高溫合成。合成反應(yīng)一經(jīng)點(diǎn)燃，就能自動進(jìn)行下去，無需從外部再引入熱量。整個(gè)合成過程在幾秒或幾分鐘內(nèi)完成。理論上認(rèn)為，SHS合成材料有以下優(yōu)點(diǎn)：①由于在極高溫度下可揮發(fā)性雜質(zhì)的氣化，一般合成的產(chǎn)物的純度會很高；②存在于產(chǎn)物中的高密度缺陷和非平衡組織歸因于SHS的高反應(yīng)速度及高冷卻速度，這導(dǎo)致反應(yīng)產(chǎn)物更加活潑，并保持平穩(wěn)狀態(tài)等等。此外，SHS工藝本身理論上還有以下獨(dú)特的優(yōu)勢：①它具有節(jié)能省時(shí)的優(yōu)點(diǎn)；②合成用的設(shè)備相對簡單，投資少，通用性強(qiáng)。③靈活方便，既可以多品種小批量生產(chǎn)，又可以少品種大批量生產(chǎn)；④能合成多元復(fù)合材料；⑤無污染等。
前景分析
應(yīng)用于粉末冶金、先進(jìn)陶瓷、焊接、噴涂等，可比傳統(tǒng)方法減少費(fèi)用20-50%，市場前景十分廣闊。
合作方式
技術(shù)轉(zhuǎn)讓，合作、合資開拓市場。
低溫大面積類金剛石碳膜制備技術(shù)
項(xiàng)目簡介
基體溫度小于150℃條件下，在等離子體環(huán)境下制備大面積、與基體無界面的類金剛石碳膜，該膜層與基體之間有良好的結(jié)合力，面積可超過160000mm2，硬度30-60GPa，摩擦系數(shù)在大氣環(huán)境下0?15，在真空下0?1，為良好的高硬度，低摩擦系數(shù)的表面膜�？勺鳛榱慵�、器件的耐磨減摩膜，是一種理想的固體潤滑劑，可代替MoS2使用。本技術(shù)已申請了國家專利。
前景分析
本技術(shù)作為耐磨減摩固體潤滑膜在大氣、真空、低溫環(huán)境下的滑動摩擦或滾動摩擦領(lǐng)域、耐磨領(lǐng)域應(yīng)用后，成本下降20-60%，市場前景十分廣闊。
合作方式
據(jù)用戶需要設(shè)計(jì)專用設(shè)備，提供工藝。
噴涂聚脲彈性體技術(shù)
項(xiàng)目簡介
噴涂聚脲彈性體技術(shù)是國外近十年來為適應(yīng)環(huán)保需求而研制開發(fā)的一種無溶劑、無污染的綠色涂裝技術(shù)，具有快速固化、高強(qiáng)度、高彈性、耐磨、耐熱、防腐、施工方便等特點(diǎn)，尤其對交雜結(jié)構(gòu)及超厚涂層的施工，具有絕對優(yōu)勢。我院自95年開始前期研究，96年赴美考察，97年引進(jìn)設(shè)備。目前已開發(fā)出SPVA-102防水、耐磨涂層，SPVA-202艦栽直升機(jī)防滑涂層。SPVA-301阻燃裝飾涂層等產(chǎn)品系列，已為青島海豚表演館、上海滬東造船廠、大連理工大學(xué)等用戶進(jìn)行了應(yīng)用，該技術(shù)的優(yōu)異力學(xué)性能和工藝性能，受到用戶的高度評價(jià)。
前景分析
可應(yīng)用于以下方面：
1、交通工具（汽車車斗，火車廂體，船舶地板等）的耐磨，防腐保護(hù)
2、娛樂場所（水族館，游樂場，網(wǎng)球場，體育館）的防滑裝飾
3、建筑業(yè)（房頂防水，防裂，管道防水防腐）礦山粉碎，研磨設(shè)備的耐磨，減震襯里。傳統(tǒng)耐磨超厚（>2mm）材料多采用硫化，模壓，澆住等工藝，設(shè)備（如模具制造等）費(fèi)用很高。
本技術(shù)具有在任意形狀上任意加厚的特點(diǎn)，經(jīng)濟(jì)效益顯著，市場前景廣闊。
合作方式：
合作開發(fā)
CdTe及CdZnTe單晶生長技術(shù)
項(xiàng)目簡介
1、將ACRT（坩堝加速旋轉(zhuǎn)技術(shù)）用于Bridgman（布里奇曼）法單晶生長過程，研制出用于CdTe及CdZnTe單晶生長的ACRT-B晶體生長設(shè)備。2、理論上，解決了晶體生長過程對流規(guī)律，對流引起溫度場的變化，對流對溶質(zhì)傳輸和成分偏析的影響等基本原理問題，實(shí)現(xiàn)了晶體生長工藝的優(yōu)化。3、控索出CdZnTe單晶生長工藝，成功地生長了f30mm的單晶體。分析結(jié)果表明，單晶尺寸大、晶體缺陷密度低、光電子特性好。4、可自行設(shè)計(jì)開發(fā)了坩堝鍍膜、真空封裝、晶體退火等晶體生長系列輔助設(shè)備。解決了晶體加工和后續(xù)處理技術(shù)問題，獲得接近批量生產(chǎn)單晶體的條件。
前景分析
CdTe及CdZnTe為重要的光電子材料，用于紅外薄膜外延襯底，高性能太陽能電池、X射線及g探測器等光電子器件的制造。該技術(shù)用于高技術(shù)產(chǎn)品生產(chǎn)，附加值很高，達(dá)到200%以上，但技術(shù)難度大，國內(nèi)市場主要限于國防領(lǐng)域。主要應(yīng)用開發(fā)日本及美國市場。
合作方式
聯(lián)合開發(fā)或技術(shù)轉(zhuǎn)讓。
項(xiàng)目簡介
自蔓燃高溫合成（簡稱SHS）又稱燃燒合成（簡稱CS）、是近年來發(fā)展起來的一種材料合成新技術(shù)。其特點(diǎn)是利用物質(zhì)在合成時(shí)放出的大量熱能自發(fā)地促進(jìn)新物質(zhì)的高溫合成。合成反應(yīng)一經(jīng)點(diǎn)燃，就能自動進(jìn)行下去，無需從外部再引入熱量。整個(gè)合成過程在幾秒或幾分鐘內(nèi)完成。理論上認(rèn)為，SHS合成材料有以下優(yōu)點(diǎn)：①由于在極高溫度下可揮發(fā)性雜質(zhì)的氣化，一般合成的產(chǎn)物的純度會很高；②存在于產(chǎn)物中的高密度缺陷和非平衡組織歸因于SHS的高反應(yīng)速度及高冷卻速度，這導(dǎo)致反應(yīng)產(chǎn)物更加活潑，并保持平穩(wěn)狀態(tài)等等。此外，SHS工藝本身理論上還有以下獨(dú)特的優(yōu)勢：①它具有節(jié)能省時(shí)的優(yōu)點(diǎn)；②合成用的設(shè)備相對簡單，投資少，通用性強(qiáng)。③靈活方便，既可以多品種小批量生產(chǎn)，又可以少品種大批量生產(chǎn)；④能合成多元復(fù)合材料；⑤無污染等。
前景分析
應(yīng)用于粉末冶金、先進(jìn)陶瓷、焊接、噴涂等，可比傳統(tǒng)方法減少費(fèi)用20-50%，市場前景十分廣闊。
合作方式
技術(shù)轉(zhuǎn)讓，合作、合資開拓市場。
低溫大面積類金剛石碳膜制備技術(shù)
項(xiàng)目簡介
基體溫度小于150℃條件下，在等離子體環(huán)境下制備大面積、與基體無界面的類金剛石碳膜，該膜層與基體之間有良好的結(jié)合力，面積可超過160000mm2，硬度30-60GPa，摩擦系數(shù)在大氣環(huán)境下0?15，在真空下0?1，為良好的高硬度，低摩擦系數(shù)的表面膜�？勺鳛榱慵�、器件的耐磨減摩膜，是一種理想的固體潤滑劑，可代替MoS2使用。本技術(shù)已申請了國家專利。
前景分析
本技術(shù)作為耐磨減摩固體潤滑膜在大氣、真空、低溫環(huán)境下的滑動摩擦或滾動摩擦領(lǐng)域、耐磨領(lǐng)域應(yīng)用后，成本下降20-60%，市場前景十分廣闊。
合作方式
據(jù)用戶需要設(shè)計(jì)專用設(shè)備，提供工藝。
噴涂聚脲彈性體技術(shù)
項(xiàng)目簡介
噴涂聚脲彈性體技術(shù)是國外近十年來為適應(yīng)環(huán)保需求而研制開發(fā)的一種無溶劑、無污染的綠色涂裝技術(shù)，具有快速固化、高強(qiáng)度、高彈性、耐磨、耐熱、防腐、施工方便等特點(diǎn)，尤其對交雜結(jié)構(gòu)及超厚涂層的施工，具有絕對優(yōu)勢。我院自95年開始前期研究，96年赴美考察，97年引進(jìn)設(shè)備。目前已開發(fā)出SPVA-102防水、耐磨涂層，SPVA-202艦栽直升機(jī)防滑涂層。SPVA-301阻燃裝飾涂層等產(chǎn)品系列，已為青島海豚表演館、上海滬東造船廠、大連理工大學(xué)等用戶進(jìn)行了應(yīng)用，該技術(shù)的優(yōu)異力學(xué)性能和工藝性能，受到用戶的高度評價(jià)。
前景分析
可應(yīng)用于以下方面：
1、交通工具（汽車車斗，火車廂體，船舶地板等）的耐磨，防腐保護(hù)
2、娛樂場所（水族館，游樂場，網(wǎng)球場，體育館）的防滑裝飾
3、建筑業(yè)（房頂防水，防裂，管道防水防腐）礦山粉碎，研磨設(shè)備的耐磨，減震襯里。傳統(tǒng)耐磨超厚（>2mm）材料多采用硫化，模壓，澆住等工藝，設(shè)備（如模具制造等）費(fèi)用很高。
本技術(shù)具有在任意形狀上任意加厚的特點(diǎn)，經(jīng)濟(jì)效益顯著，市場前景廣闊。
合作方式：
合作開發(fā)
CdTe及CdZnTe單晶生長技術(shù)
項(xiàng)目簡介
1、將ACRT（坩堝加速旋轉(zhuǎn)技術(shù)）用于Bridgman（布里奇曼）法單晶生長過程，研制出用于CdTe及CdZnTe單晶生長的ACRT-B晶體生長設(shè)備。2、理論上，解決了晶體生長過程對流規(guī)律，對流引起溫度場的變化，對流對溶質(zhì)傳輸和成分偏析的影響等基本原理問題，實(shí)現(xiàn)了晶體生長工藝的優(yōu)化。3、控索出CdZnTe單晶生長工藝，成功地生長了f30mm的單晶體。分析結(jié)果表明，單晶尺寸大、晶體缺陷密度低、光電子特性好。4、可自行設(shè)計(jì)開發(fā)了坩堝鍍膜、真空封裝、晶體退火等晶體生長系列輔助設(shè)備。解決了晶體加工和后續(xù)處理技術(shù)問題，獲得接近批量生產(chǎn)單晶體的條件。
前景分析
CdTe及CdZnTe為重要的光電子材料，用于紅外薄膜外延襯底，高性能太陽能電池、X射線及g探測器等光電子器件的制造。該技術(shù)用于高技術(shù)產(chǎn)品生產(chǎn)，附加值很高，達(dá)到200%以上，但技術(shù)難度大，國內(nèi)市場主要限于國防領(lǐng)域。主要應(yīng)用開發(fā)日本及美國市場。
合作方式
聯(lián)合開發(fā)或技術(shù)轉(zhuǎn)讓。
