中國粉體網(wǎng)訊 近日,中國電科46所成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶,達(dá)到國際最高水平。氧化鎵擁有超寬帶隙(4.2-4.9eV)、超高臨界擊穿場強(qiáng)(8MV/cm)、超強(qiáng)透明導(dǎo)電性等優(yōu)異物理性能,導(dǎo)通特性約為碳化硅的10倍,理[更多]
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