中國粉體網(wǎng)訊 碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料,具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率等性能優(yōu)勢,在高溫、高壓、高頻領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異,已成為半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域的主要發(fā)展方向之一。SiC襯底主要包括導(dǎo)電型和半絕緣型兩[更多]
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