中國(guó)粉體網(wǎng)訊 二維過(guò)渡金屬碳化物和氮化物MXene被公認(rèn)為在電子和光電器件中具有重要應(yīng)用潛力。然而,已報(bào)道的MXene薄膜的圖案化方法難以兼顧效率、分辨率和與主流硅工藝的兼容性。例如,電子束光刻法可以實(shí)現(xiàn)較高的圖案分辨率,但[更多]
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