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        器件

        推薦以氮化鎵和碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體器件制備及評(píng)價(jià)技術(shù)取得突破

        中國(guó)粉體網(wǎng)訊 以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料,具備高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率及抗強(qiáng)輻射能力等優(yōu)異性能,更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件,在光電子和微電子領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用[更多]

        資訊 氮化鎵碳化硅半導(dǎo)體材料封裝技術(shù)器件
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